[发明专利]连接基板的制造方法有效
申请号: | 201780010366.9 | 申请日: | 2017-01-12 |
公开(公告)号: | CN108702846B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 高垣达朗;宫泽杉夫;井出晃启 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H05K3/40 | 分类号: | H05K3/40;H05K3/26 |
代理公司: | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王轶;郑雪娜 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 制造 方法 | ||
向陶瓷基材的贯通孔供给金属糊,通过加热而生成金属多孔体。在金属多孔体的主面涂布玻璃糊,并且使玻璃糊含浸到金属多孔体的开口气孔中。通过加热使玻璃糊固化,由此在金属多孔体的主面上形成玻璃层,且使含浸在开口气孔中的玻璃糊成为玻璃相。除去玻璃层,由此得到具备陶瓷基板1A、以及设置在贯通孔2A内的贯通导体11的连接基板10。贯通导体11具备金属多孔体和玻璃相。
技术领域
本发明涉及制造在贯通孔内形成有通孔导体等贯通导体的电连接基板的方法。
背景技术
作为用于安装SAW滤波器等电子器件的基板,使用在陶瓷等绝缘基板设置贯通孔并将该孔用导体填埋而制成贯通电极的结构的基板(通孔基板)。近年来,随着以移动电话为代表的通信设备的小型化,对使用的电子器件也要求小型化、薄型化,对作为其构成部件的通孔基板也同样要求薄板化。
另外,为了小型化,基板表面的配线也需要微细化,因此,要求贯通电极直径的小径化、以及其位置的高精度化。此外,这些微细配线利用光刻、镀敷形成,为了防止抗蚀剂涂布工序、镀敷工序中药液浸入所带来的不良情况,特别要求贯通电极致密且水密性高。
对于贯通电极的致密化提出各种解决方案,均以较厚的基板和大直径的贯通电极作为对象,在使用薄板以及小直径的贯通电极的情况下,无法得到期望的结果。
例如,专利文献1中,公开如下方法:通过在疏松(多孔质)的贯通电极的表面形成导电保护膜来防止抗蚀液的浸入。但是,如果绝缘性基板较薄,则贯通电极的通气性升高,因此,导电保护膜的强度不足,无法作为保护膜发挥作用。另外,陶瓷与金属之间容易因热膨胀差而剥离。
专利文献2中,公开如下方法:形成多孔质的第一导电体作为贯通电极后,将其空隙用第二导电体填埋。但是,在使用陶瓷基板的情况下,在将基板薄板化时,容易因作为导电材料的金属与陶瓷的热膨胀差而发生开裂、基板的翘曲。
专利文献3中,公开如下方法:在陶瓷基板的贯通孔中填充包含活性金属的金属,由此,在陶瓷基板与贯通电极之间形成活性金属层,进行致密化。但是,除了如上所述的因陶瓷与金属的热膨胀差而发生开裂的问题以外,由于包含活性金属的金属焊料的粘度非常高,所以,如果贯通电极直径较小,则无法很好地填充。
专利文献4中,公开如下方法:在形成贯通电极时,使用包含膨胀材料的导体糊。但是,仅用膨胀材料很难将所有空洞填埋,特别是在薄板化的情况下,无法得到贯通电极的致密性。
专利文献5中,公开如下方法:将粒状导电物质分别配置在陶瓷基板的贯通孔内后,填充玻璃糊。但是,容易因陶瓷与球状导电物质的热膨胀差而发生开裂、翘曲。此外,如果贯通孔减小,则球状导电物质的配置变得困难。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许4154913
专利文献2:日本特开2013-165265
专利文献3:日本特开2015-65442
专利文献4:日本特开H09-46013
专利文献5:日本特开2015-119165
发明内容
本发明的课题在于,在制造具备陶瓷基板和设置在贯通孔内的贯通导体的连接基板时,使贯通孔的水密性得到提高。
本发明的特征在于,具有:
向具有第一主面和第二主面且设置有贯通孔的陶瓷基材的所述贯通孔供给金属糊、通过加热而生成金属多孔体的工序;
在所述金属多孔体的主面涂布玻璃糊、并且使所述玻璃糊含浸到所述金属多孔体的开口气孔中的工序;
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