[发明专利]形成有基板容纳部件的化学机械研磨装置用载体头在审
申请号: | 201780009506.0 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN108885984A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 姜準模 | 申请(专利权)人: | 姜準模 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/461;H01L21/67;B24B37/27 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 胡凯 |
地址: | 韩国大田市儒城区田民洞4*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外周部 基板 容纳部件 载体头 化学机械研磨装置 底板 结合部 高度方向延伸 加压腔室 流体压力 外部面 紧贴 容纳 外部 | ||
1.一种载体头,为包括基板容纳部件的化学机械研磨装置用载体头,其特征在于,包括:
基座;
基板容纳部件,包括:形成有容纳基板的外部面和所述外部面相反侧的内部面的底板、从所述底板的边缘向高度方向延伸的外周部、从所述外周部的外侧分支而与所述基座的下部连接的结合部、从所述外周部的内侧分支的接触部;
接触对应结构,与所述基座的下部连接,而提供与所述接触部的接触面;及
外周部加压腔室,所述接触部借助于流体压力与所述接触对应结构紧贴,而以所述结合部和所述接触部为壁而形成,
并且,所述外周部加压腔室内的流体压力大于作用于所述外周部的内侧面的流体压力时,能够控制所述外周部加压腔室内的流体向所述外周部的内侧面侧流动,但,作用于所述外周部的内侧面的流体压力大于所述外周部加压腔室内的流体压力时,作用于所述外周部的内侧面的流体向所述外周部加压腔室内流动。
2.根据权利要求1所述的载体头,其特征在于,
所述接触部的末端部分向上内侧方向。
3.根据权利要求2所述的载体头,其特征在于,
所述上内侧方向以垂直方向为基准倾斜2°至45°。
4.根据权利要求1所述的载体头,其特征在于,
所述接触部包括:与外周部的内侧连接而大致形成垂直的导引部分和从所述导引部分向上内侧方向延伸的紧贴部分,
并且,所述紧贴部分的末端位于相比所述紧贴部分延伸形成的导引部分的高度的更上侧。
5.根据权利要求4所述的载体头,其特征在于,
所述紧贴部分的厚度相比所述导引部分的厚度更薄。
6.根据权利要求1所述的载体头,其特征在于,
在所述外周部的内侧面沿着所述外周部形成有至少一个凹槽。
7.根据权利要求1所述的载体头,其特征在于,
还包括:从所述外周部的内侧面向内侧方向延伸的容纳辅助襟翼。
8.根据权利要求1所述的载体头,其特征在于,
还包括:从所述内部面向高度方向延伸的至少一个固定襟翼。
9.根据权利要求1所述的载体头,其特征在于,
还包括接触襟翼,包括:与所述基座的下部连接的襟翼上部;从所述襟翼上部向下延伸的襟翼侧部;及从所述襟翼侧部下端向内侧方向延伸的襟翼下部,
并且,所述接触襟翼为开放的结构,与所述外周部的内侧邻接,所述襟翼侧部与所述接触对应结构接触,所述襟翼下部与邻接于所述外周部的底板接触,由此,能够控制流体从所述接触襟翼内侧向所述外周部加压腔室侧流动。
10.根据权利要求1所述的载体头,其特征在于,
还包括:囊状件,与所述外周部的内侧邻接而与所述基座的下部连接,接收独立供应的流体而膨胀,并且,外侧方向膨胀通过所述接触对应结构而被控制,内侧方向膨胀通过与所述基座连接的隔离墙结构被控制,而与所述底板的既定区域接触,由此,能够施加压力。
11.根据权利要求10所述的载体头,其特征在于,还包括:
接触襟翼,包括:与所述囊状件的内侧邻接并与所述基座的下部连接的襟翼上部、从所述襟翼上部向下延伸的襟翼侧部及从所述襟翼侧部下端向内侧方向延伸的襟翼下部,
并且,所述接触襟翼为开放的结构,所述襟翼侧部与所述隔离墙结构接触,所述襟翼下部与邻接于所述囊状件的底板接触,从而,能够控制流体从所述接触襟翼内侧向所述囊状件侧流动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造