[发明专利]用于BTI效应的存储器单元筛选

说明书

提供了一种存储器以及用于操作该存储器的方法。该存储器包括多个存储器单元和配置成输出字线的字线驱动器。诸存储器单元耦合至该字线。控制电路被配置成将工作电压提供给诸存储器单元和该字线驱动器。电压调整电路被配置成在控制电路将工作电压提供给诸存储器单元和字线驱动器期间调整提供给诸存储器单元的工作电压。该方法包括将工作电压提供给至少一个存储器单元和耦合至该至少一个存储器单元的字线，以及在将工作电压提供给该至少一个存储器单元和字线期间调整提供给该至少一个存储器单元的工作电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年1月29日提交的题为“MEMORY CELL SCREEN FOR BTI EFFECT(用于BTI效应的存储器单元筛选)”的美国专利申请No.15/010,385的权益，其通过援引整体明确纳入于此。

背景

领域

本公开一般涉及存储器，且更具体地涉及操作用于BTI效应的存储器单元筛选的存储器。

背景技术

现代电子设备(诸如蜂窝电话、智能手表，等等)严重依赖从场效应晶体管(FET)构建的电子电路。此类FET可包括p沟道晶体管(例如，p型金属氧化物半导体(或即PMOS)晶体管)和n沟道晶体管(例如，n型金属氧化物半导体(或即NMOS)晶体管)。

从这些p沟道晶体管和n沟道晶体管构建的电子电路易于经受负偏压温度不稳定性(NBTI或更一般而言BTI)效应的影响。BTI使得p沟道晶体管和n沟道晶体管的阈值电压(V_TH)随时间偏移。例如，经受BTI效应的p沟道晶体管的V_TH可随时间上升至50mV。随着p沟道晶体管的V_TH偏移并上升，从这些器件构建的存储器可体验到随机故障。

相应地，存在对存储器筛除尤其易于受BTI效应的影响的较弱存储器单元的压迫模式的需求。

概述

公开了存储器的诸方面。该存储器包括多个存储器单元和配置成输出字线的字线驱动器。诸存储器单元耦合至该字线。控制电路被配置成将工作电压提供给诸存储器单元和字线驱动器。电压调整电路被配置成在控制电路将工作电压提供给诸存储器单元和字线驱动器期间调整提供给诸存储器单元的工作电压。

公开了一种操作存储器的方法的诸方面。该方法包括将工作电压提供给至少一个存储器单元和耦合至该至少一个存储器单元的字线，以及在将工作电压提供给该至少一个存储器单元和字线期间调整提供给该至少一个存储器单元的工作电压。

公开了存储器的进一步方面。该存储器包括多个存储器单元和配置成输出字线的字线驱动器。诸存储器单元耦合至该字线。该存储器进一步包括第一功率轨和第二功率轨。电压电源电路被配置成经由第一功率轨将工作电压提供给存储器单元并经由第二功率轨将工作电压提供给字线驱动器。电压调整电路耦合至第一功率轨以根据目标阈值电压偏移来调整提供给存储器单元的工作电压。

应理解，根据以下详细描述，装置和方法的其他方面对于本领域技术人员而言将变得容易明白，其中以解说方式示出和描述了装置和方法的各个方面。如将认识到的，这些方面可以按其他和不同的形式来实现并且其若干细节能够在各个其他方面进行修改。相应地，附图和详细描述应被认为在本质上是解说性的而非限制性的。

附图简述

现在将参照附图藉由示例而非限定地在详细描述中给出装备和方法的各个方面，其中：

图1是存储器的示例性实施例的框图。

图2是存储器所支持的外围电路的示例性实施例的框图。

图3是SRAM的存储器单元的示例性实施例的示意图。

图4是SRAM的示例性实施例的功能框图。