[实用新型]一种外延片

说明书

本实用新型提供的一种外延片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n‑AlInP限制层、n‑AlGaInP波导层、突变MQW有源层、渐变MQW有源层、p‑AlGaInP波导层、p‑AlInP限制层和p‑GaP电流扩展层；突变MQW有源层和渐变MQW有源层材料为AlGaInP。本实用新型公开的一种外延片，通过对突变量子阱和渐变量子阱的组合设计，限制电子在量子阱结构中的快速移动，增强空穴载流子的移动能力，从而提高电子与空穴载流子的复合几率，能提高LED芯片的内量子发光效率。

技术领域

本实用新型属于半导体二极管技术领域，具体涉及一种外延片。

背景技术

现如今，高亮度AlGaInP基发光二极管的应用极为广泛，从传统的显示、指示、按键背光、灯饰等领域扩展到汽车尾灯、背光源等高端应用方面。对于In组分为0.5，(AlxGa1-x)0.5In0.5P材料的晶格常数可以与GaAs衬底完全匹配，通过对Al和Ga组分的调节，可以发出红、橙、黄、黄绿光(波长650-560nm)。因此提高发光效率，对于LED整个行业具有极大的经济效益，同时也促进了各相关行业的产业升级。

发明内容

本实用新型为提高LED芯片的内量子发光效率，提供一种外延片，通过对突变量子阱和渐变量子阱的组合设计，限制电子在量子阱结构中的快速移动，增强空穴载流子的移动能力，从而提高电子与空穴载流子的复合几率。

为了解决本实用新型的技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：一种外延片，包括GaAs衬底100，在所述GaAs衬底100上依次外延生长缓冲层101、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层102、n-AlInP限制层103、n-AlGaInP波导层104、突变MQW有源层105、渐变MQW有源层106、p-AlGaInP波导层107、p-AlInP限制层108和p-GaP电流扩展层109；所述突变MQW有源层105和渐变MQW有源层106材料为AlGaInP。

优选地，所述缓冲层101厚度为0.5μm，掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3。

优选地，所述AlGaAs/AlAs(DBR)反射层102厚度为1.6μm，掺杂浓度为2×10¹⁸。

优选地，所述n-AlInP限制层103厚度为0.5μm，掺杂浓度为2×10¹⁸。

优选地，所述n-AlGaInP波导层104厚度为0.1μm，掺杂浓度为3×10¹⁷cm^-3。

优选地，所述突变MQW有源层105厚度为6nm。

优选地，所述渐变MQW有源层106厚度为4nm。

优选地，所述p-AlGaInP波导层107厚度0.1μm，掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3。

优选地，所述p-AlInP限制层108厚度为0.8μm，掺杂浓度为6×10¹⁷。

优选地，所述p-GaP电流扩展层109厚度为5μm，掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3。

与现有技术相比，本实用新型获得的有益效果是：

本实用新型公开的一种外延片，通过对突变量子阱和渐变量子阱的组合设计，限制电子在量子阱结构中的快速移动，增强空穴载流子的移动能力，从而提高电子与空穴载流子的复合几率，能提高LED芯片的内量子发光效率。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。