[实用新型]一种外延片

权利要求书

1.一种外延片，其特征在于：包括GaAs衬底(100)，在所述GaAs衬底(100)上依次外延生长缓冲层(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)、n-AlInP限制层(103)、n-AlGaInP波导层(104)、突变MQW有源层(105)、渐变MQW有源层(106)、p-AlGaInP波导层(107)、p-AlInP限制层(108)和p-GaP电流扩展层(109)；所述突变MQW有源层(105)和渐变MQW有源层(106)材料为AlGaInP。

2.如权利要求1所述的一种外延片，其特征在于：所述缓冲层(101)厚度为0.5μm，掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3。

3.如权利要求1所述的一种外延片，其特征在于：所述AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)厚度为1.6μm，掺杂浓度为2×10¹⁸。

4.如权利要求1所述的一种外延片，其特征在于：所述n-AlInP限制层(103)厚度为0.5μm，掺杂浓度为2×10¹⁸。

5.如权利要求1所述的一种外延片，其特征在于：所述n-AlGaInP波导层(104)厚度为0.1μm，掺杂浓度为3×10¹⁷cm^-3。

6.如权利要求1所述的一种外延片，其特征在于：所述突变MQW有源层(105)厚度为6nm。

7.如权利要求1所述的一种外延片，其特征在于：所述渐变MQW有源层(106)厚度为4nm。

8.如权利要求1所述的一种外延片，其特征在于：所述p-AlGaInP波导层(107)厚度0.1μm，掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3。

9.如权利要求1所述的一种外延片，其特征在于：所述p-AlInP限制层(108)厚度为0.8μm，掺杂浓度为6×10¹⁷。

10.如权利要求1所述的一种外延片，其特征在于：所述p-GaP电流扩展层(109)厚度为5μm，掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3。