[实用新型]瞬态电压抑制器

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：

第一电极和第二电极；

第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底与所述第二电极相连；

第一掺杂类型的第一外延层，所述第一外延层设置于所述半导体衬底的第一表面以作为牺牲层；

第一掺杂类型的第二外延层，设置于所述半导体衬底的第一表面之上以覆盖所述第一外延层；

多个第一掺杂区，各个所述第一掺杂区形成于所述半导体衬底内；

多个第二掺杂区，各个所述第二掺杂区形成于所述第二外延层内或穿过所述第二外延层与对应的所述第一掺杂区相连，

所述多个第一掺杂区、所述多个第二掺杂区、所述半导体衬底以及所述第二外延层用于形成双向抑制电路，所述双向抑制电路包括第一整流二极管、第二整流二极管、第一瞬态抑制二极管和第二瞬态抑制二极管，其中，所述第一整流二极管的阳极与所述第二整流二极管的阴极相连以作为所述第一电极，所述第一瞬态抑制二极管的阳极、所述第二瞬态抑制二极管的阳极以及所述第二整流二极管的阳极相连，所述半导体衬底作为所述第二瞬态抑制二极管的阴极，所述第一整流二极管的阴极与所述第一瞬态抑制二极管的阴极相连。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二电极位于所述半导体衬底的第二表面，所述半导体衬底的所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述多个第一掺杂区包括：

第二掺杂类型的第一埋层，所述第一埋层从所述第一外延层向所述半导体衬底内延伸，所述第一埋层的上表面包括第一区域和第二区域；以及

第一掺杂类型的第二埋层，所述第二埋层从所述第一埋层的上表面的所述第二区域延伸至所述第一埋层内部。

4.根据权利要求3所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述多个第二掺杂区包括：

第二掺杂类型的第一隔离区，所述第一隔离区从所述第二外延层表面延伸至所述第二外延层中以与所述第一埋层相连，所述第一隔离区和所述第一埋层在所述第二外延层中限定出第一隔离岛和第二隔离岛；

第一掺杂类型的第二隔离区，所述第二隔离区从所述第二外延层表面向所述第二隔离岛内延伸并与所述第二埋层相连，所述第二隔离区和所述第二埋层在所述第二隔离岛内进一步限定出第三隔离岛；

第二掺杂类型的第一阱区，所述第一阱区从所述第二外延层表面延伸至所述第三隔离岛内；

第一掺杂类型的第二阱区，所述第二阱区包括由所述第二外延层表面延伸至所述第一隔离岛内的第一部分，所述第一电极、所述第二阱区的第一部分与所述第一阱区电相连。

5.根据权利要求4所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一隔离区至少包括第一部分、第二部分以及第三部分，

所述第一隔离区的第一部分、第二部分以及所述第一埋层在所述第二外延层中限定出所述第一隔离岛，所述第一隔离岛位于所述第一埋层的上表面的所述第一区域上方，

所述第一隔离区的第二部分、第三部分以及所述第一埋层在所述第二外延层中限定出所述第二隔离岛。

6.根据权利要求4所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二阱区还包括第二部分，

所述第二阱区的第二部分形成于所述第二隔离区的上表面。

7.根据权利要求4所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一隔离区面向所述第二隔离岛的内侧面与所述第二隔离区至少部分接触。

8.根据权利要求4所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第二外延层表面并在与所述第二阱区的第一部分和所述第一阱区对应的位置设有接触孔，所述第一电极通过所述接触孔将所述第二阱区的第一部分和所述第一阱区电相连。

9.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二外延层的掺杂浓度小于所述第一外延层的掺杂浓度。