[实用新型]一种功率半导体封装结构有效
申请号: | 201721738605.6 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN207637782U | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 江一汉;曹周 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/31 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 510530 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率模块 散热部 功率半导体封装 注塑 本实用新型 塑封体 环氧树脂 设备发生故障 连接稳定性 间隔设置 一体连接 有效地 热流 散热 外露 塑封 封装 成型 背离 体内 侧面 传递 | ||
本实用新型公开一种功率半导体封装结构,包括功率模块和位于功率模块背面的散热部,功率模块与散热部间隔设置,且所述散热部上注塑有塑封体,所述功率模块被封装在所述塑封体内,所述散热部背离所述功率模块的一侧面外露于塑封体。本实用新型通过采用环氧树脂注塑将功率模块与散热部一体连接成型,提高了散热部与功率模块之间的连接稳定性,从而使散热部将功率模块产生的热量稳定、有效地传递出去,避免功率半导体封装结构内的热流密度过高而导致采用该功率半导体封装结构的设备发生故障。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术,具体涉及一种功率半导体封装结构。
背景技术
随着集成电路特别是超大规模集成电路的迅速发展,高功率半导体封装结构的体积越来越小,与此同时,高功率半导体封装结构内的芯片的功率却越来越大,从而导致高功率半导体封装结构内的热流密度(即单位面积的截面内单位时间通过的热量)日益提高。随着热流密度的不断提高,如果不能进行有效地热设计与热管理就很容易导致芯片或系统由于温度过高而不能正常使用。发热问题已被确认为高功率半导体结构设计所面临的三大问题之一。与此同时,芯片的散热显得尤为重要。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种散热性能良好的功率半导体封装结构。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
提供一种功率半导体封装结构,包括功率模块和位于所述功率模块背面的散热部,所述功率模块与所述散热部间隔设置,且所述散热部上注塑有塑封体,所述功率模块被封装在所述塑封体内,所述散热部背离所述功率模块的一侧面外露于所述塑封体。
作为功率半导体封装结构的一种优选方案,所述散热部背离所述功率模块的一侧面与所述塑封体相对应的一侧面平齐。
作为功率半导体封装结构的一种优选方案,所述散热部为金属散热板。
作为功率半导体封装结构的一种优选方案,所述散热部为石墨板。
作为功率半导体封装结构的一种优选方案,所述塑封体正对所述散热部的侧壁开设有散热孔,所述散热孔贯穿所述塑封体的侧壁。
作为功率半导体封装结构的一种优选方案,所述功率模块包括若干芯片,所述散热部包括若干散热块,每个所述散热块与一个所述芯片的位置相对应。
作为功率半导体封装结构的一种优选方案,所述散热部与所述功率模块中功率相对较大的所述芯片的位置相对应。
作为功率半导体封装结构的一种优选方案,所述功率模块包括引线框架、设置在所述引线框架上的芯片和导电端子,所述芯片通过金属导线与所述导电端子连接,所述引线框架、所述芯片以及所述金属导线封装于所述塑封体内,所述导电端子由所述塑封体内延伸至所述塑封体外。
作为功率半导体封装结构的一种优选方案,所述引线框架包括框架本体和设置在所述框架本体周部的弯折部,所述弯折部朝向所述散热部延伸,所述弯折部与所述散热部之间设置有绝缘粘合剂层。
作为功率半导体封装结构的一种优选方案,所述功率模块包括一体式引线框架和芯片,所述一体式引线框架包括框架本体和与所述框架本体的外周连接的引线端子,所述芯片设置在所述框架本体上并通过金属导线与所述引线端子连接,所述框架本体、所述芯片以及所述金属导线均封装于所述塑封体内,所述引线端子位于所述塑封体外。
本实用新型的有益效果:本实用新型通过采用环氧树脂注塑将功率模块与散热部一体连接成型,提高了散热部与功率模块之间的连接稳定性,从而使散热部将功率模块产生的热量稳定、有效地传递出去,避免功率半导体封装结构内的热流密度过高而导致采用该功率半导体封装结构的设备发生故障。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的功率半导体封装结构的剖视图。
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