[实用新型]一种晶圆清洗装置

说明书

本实用新型提供一种晶圆清洗装置，包括：清洗腔室；载物台，设置于所述清洗腔室内；谐振罩，罩设于所述载物台上方，为所述载物台上的待清洗晶圆提供密闭的清洗空间；线圈，设置于所述谐振罩上方的清洗腔室侧壁上；冷却罩，铺设于所述谐振罩的上表面，所述冷却罩包括罩体及设置于所述罩体内部的冷却液。本实用新型的晶圆清洗装置在谐振罩的上方铺设一冷却罩，并通过冷却模块对冷却罩中的冷却液进行温度控制，可大大提高冷却的均匀性及冷却效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

随着半导体工艺的不断发展，集成电路已经从单个晶片上制作少数互连器件发展到能够制作数以百万计的器件，同时该发展还在不断的继续。由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此，在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

等离子体清洗是现在比较常用的一种晶圆清洗方式。等离子体是物质的一种存在状态，等离子体状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团(自由基)；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。

等离子清洗机就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频电源在一定的压力情况下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。

如图1所示为现有的一种等离子晶圆清洗装置1，所述等离子晶圆清洗装置1包括清洗腔室11，设置于所述清洗腔室11内的载物台12，设置于所述载物台12上方的谐振罩13，设置于所述谐振罩13上方的所述清洗腔室11侧壁的线圈14，设置于所述清洗腔室11顶部的风扇15以及设置于所述载物台12下方的腔体保护罩16。晶圆放置于所述载物台12上，反应气体通入所述清洗腔室11，所述线圈14通电，电场在所述谐振罩13的作用下，将所述谐振罩13下的反应气体转变为等离子体，高能量的等离子体轰击晶圆表面，将晶圆表面的污染物带离晶圆，一部分落入所述腔体保护罩16内，另一部分弹起嵌入所述谐振罩13内壁。电源以及等离子体产生的热量会使得所述谐振罩13的温度升高，一旦温度过高，附着于所述谐振罩13表面的杂质将会脱落，并掉落在晶圆表面，造成晶圆的再污染以及功能的缺陷，因此，需要通过所述风扇15对所述谐振罩13进行降温处理，但是所述风扇15设置于所述谐振罩13的正上方，降温的区域集中在所述谐振罩13的正中间，边缘区域的降温效果比较差，仍然存在杂质掉落的情况，另外，风扇降温存在降温效率低温度不可控等问题。

因此如何提高谐振罩降温的均匀性，温度可控性并提高效率已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆清洗装置，用于解决现有技术中谐振罩降温的均匀性差、温度不可控、效率低等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置至少包括：

清洗腔室；

载物台，设置于所述清洗腔室内；

谐振罩，罩设于所述载物台上方，为所述载物台上的待清洗晶圆提供密闭的清洗空间；

线圈，设置于所述谐振罩上方的清洗腔室侧壁上；

冷却罩，铺设于所述谐振罩的上表面，所述冷却罩包括罩体及设置于所述罩体内部的冷却液。

优选地，所述晶圆清洗装置还包括设置于所述载物台下方的腔体保护罩。