[实用新型]背照式CMOS传感器的封装结构

说明书

本实用新型提供一种背照式CMOS传感器的封装结构，包括：重新布线层；背照式CMOS传感器结构，固定连接于所述重新布线层的第二面；逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第一面；封装材料，包覆于所述逻辑芯片；穿孔，形成于所述封装材料中；金属引线结构，制作于所述穿孔中，以实现所述重新布线层、所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片的电性引出。本实用新型采用重新布线层的方法实现背照式CMOS传感器、所述逻辑芯片与所述金属引线结构之间的电连接，具有封装体积小，传感性能及器件可靠性高的优点；只需通过在封装材料中开穿孔便可实现重新布线层的电性引出，不需要进行硅穿孔等工艺，可以大大节省工艺成本。

技术领域

本实用新型属于半导体封装领域，特别是涉及一种背照式CMOS传感器的封装结构及封装方法。

背景技术

随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。

由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。

现有的图像传感器芯片封装通常具有厚度较厚，硅穿孔工艺成本较高，金属连线容易断裂，整体良率较低等诸多缺点。

另外，图像传感器芯片，如背照式CMOS图像传感芯片等，通常需要搭配逻辑芯片集成使用，现有的制作方法是将单独封装好的图像传感器芯片通过SUB基板等与逻辑芯片进行电性连接，并且需要通过硅穿孔工艺实现器件的电性引出。这种封装方法使得器件的体积较大，组装工艺过程较为复杂，硅穿孔工艺成本较高，导致最终产品的成本较高。

基于以上所述，提供一种可以有效集成背照式CMOS传感器及逻辑芯片，并有效降低封装结构体积以及器件稳定性，且有效降低成本的封装结构及封装方法实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种背照式CMOS传感器的封装结构及封装方法，用于解决现有技术中图像传感器芯片及逻辑芯片的封装体积较大，器件稳定性低以及产品良率较低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种背照式CMOS传感器的封装结构，所述封装结构包括：重新布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面；背照式CMOS传感器结构，固定连接于所述重新布线层的第二面；逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第一面，且所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片通过所述重新布线层实现电性连接；封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，并包覆于所述逻辑芯片；穿孔，形成于所述封装材料中且露出所述重新布线层；以及金属引线结构，制作于所述穿孔中，以实现所述重新布线层、所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片的电性引出。

优选地，所述金属引线结构包括金属柱、焊料球、及金属柱与焊料凸点所组成的叠层中的一种。

进一步地，所述金属柱包括铜柱、银柱、金柱、铝柱及钨柱中的一种，所述焊料球或焊料凸点的包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。

优选地，所述金属引线结构的高度大于所述逻辑芯片的厚度。

优选地，所述背照式CMOS传感器结构包括：正面具有图像传感器的晶圆；以及透明盖板，键合于所述晶圆的背面。

进一步地，所述晶圆的厚度为不大于3μm，以提高所述图像传感器的背面感光强度。

优选地，所述透明盖板基于金锡键合层键合于所述晶圆的背面。

优选地，所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。