[实用新型]背照式CMOS传感器的封装结构

权利要求书

1.一种背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

重新布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面；

背照式CMOS传感器结构，固定连接于所述重新布线层的第二面；

逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第一面，且所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片通过所述重新布线层实现电性连接；

封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，并包覆于所述逻辑芯片；

穿孔，形成于所述封装材料中且露出所述重新布线层；以及

金属引线结构，制作于所述穿孔中，以实现所述重新布线层、所述背照式CMOS传感器结构与所述逻辑芯片的电性引出。

2.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于：所述金属引线结构包括金属柱、焊料球、及金属柱与焊料凸点所组成的叠层中的一种。

3.根据权利要求2所述的背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于：所述金属柱包括铜柱、银柱、金柱、铝柱及钨柱中的一种，所述焊料球及焊料凸点包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。

4.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于：所述金属引线结构的高度大于所述逻辑芯片的厚度。

5.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于：所述背照式CMOS传感器结构包括：正面具有图像传感器的晶圆；以及透明盖板，键合于所述晶圆的背面。

6.根据权利要求5所述的背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于：所述晶圆的厚度为不大于3μm，以提高所述图像传感器的背面感光强度。

7.根据权利要求5所述的背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于：所述透明盖板基于金锡键合层键合于所述晶圆的背面。

8.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于：所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

9.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。

10.根据权利要求9所述的背照式CMOS传感器的封装结构，其特征在于：所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。