[实用新型]反应腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201721033212.5 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN207183210U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 赵晋荣;常楷 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应 半导体 加工 设备 | ||
1.一种反应腔室，在所述反应腔室的内部设置有基座，且在所述反应腔室的侧壁内侧设置有内衬，所述内衬的上端通过所述反应腔室的侧壁接地，其特征在于，所述反应腔室还包括边缘环和遮挡环，其中，
所述边缘环环绕在所述基座的周围，所述边缘环的下端通过所述基座接地，且在所述边缘环的内周壁与所述基座的外周壁之间设置有介质环；
所述遮挡环设置在所述内衬的下端与所述边缘环的外周壁之间。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述遮挡环与所述内衬为一体式结构。
3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述遮挡环与所述边缘环为一体式结构。
4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述内衬、所述遮挡环和所述边缘环为一体式结构。
5.根据权利要求2-4任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述边缘环的下端位于所述遮挡环的下方。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述边缘环的上端与所述介质环的上端相平齐；所述边缘环的下端与所述介质环的下端相平齐。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述基座包括由上而下依次设置的基座本体、隔离层和金属接口盘，其中，所述金属接口盘接地；
所述边缘环的下端通过与所述金属接口盘电导通而接地。
8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述金属接口盘包括相对于所述隔离层的外周壁凸出的第一凸台；
在所述边缘环的下端设置有相对于所述边缘环的外周壁凸出的第二凸台，所述第二凸台与所述第一凸台相互叠置，且二者通过螺钉固定连接。
9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，在所述第二凸台与所述第一凸台相接触的两个表面之间设置有导电层，用于使所述第二凸台与所述第一凸台接触良好。
10.根据权利要求9所述的反应腔室，其特征在于，所述导电层采用电镀的方式设置在所述第二凸台与所述第一凸台相接触的两个表面中的至少一个表面上。
11.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-10任意一项所述的反应腔室。
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