[实用新型]三极管有效
| 申请号: | 201720814142.0 | 申请日: | 2017-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN206864459U | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
| 发明(设计)人: | 张成刚 | 申请(专利权)人: | 深圳市美丽微半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/367;H01L23/60 |
| 代理公司: | 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙)44394 | 代理人: | 夏龙 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙华新区龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 三极管 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体电子元器件技术领域,尤其涉及一种三极管。
背景技术
三极管是常用的半导体电子元器件,可以将电流和信号放大,被应用于信号放大器和电子开关等多种技术领域。
然而,由于三极管较小的体积,在进行生产成型的过程中,必须通过顶针于模具中顶触三极管的引脚部分进行固定,以便进一步注塑成型。成型后,顶针从三极管主体上取下,此时三极管主体上便留有顶针孔。未做处理的顶针孔会导致三极管主体的绝缘性大大降低,并且顶针碰触引脚会对引脚产生不同程度的损伤,以至于三极管器件的品质大打折扣。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种绝缘性良好、避免引脚出现损伤的三极管。
本实用新型公开的三极管所采用的技术方案是:
一种三极管,包括基板、芯片、第一引脚、第二引脚、第三引脚和封装体,所述芯片焊接于所述基板上,所述第一引脚与所述基板连接,所述第二引脚和所述第三引脚分别与所述芯片连接,所述封装体包裹住所述芯片;所述基板还包括收容所述第一引脚对应的第一卡槽、收容所述第二引脚对应的第二卡槽,以及收容所述第三引脚对应的第三卡槽。
作为优选方案,所述第一卡槽、所述第二卡槽和所述第三卡槽在三者的长度延伸方向上互相平行。
作为优选方案,所述第二卡槽和所述第三卡槽分别到所述第一引脚的距离相等。
作为优选方案,所述基板包括相对的上表面和下表面,所述芯片设于所述上表面,所述下表面还设有散热板。
作为优选方案,所述散热板呈波浪状。
作为优选方案,靠近所述基板处的第一引脚的外表面包覆有绝缘体。
作为优选方案,所述绝缘体与所述封装体为一体式结构。
作为优选方案,所述封装体的材料为环氧树脂。
本实用新型公开的三极管的有益效果是:基板设有与第一引脚、第二引脚和第三引脚一一对应的第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽,通过将所述第一引脚、第二引脚和第三引脚依次放入与之契合的所述第一卡槽、所述第二卡槽和所述第三卡槽即可完成固定操作,卡槽侧壁可以保护三极管引脚不被外物碰触划伤,且不会在封装后留下缝隙,从而使三极管主体绝缘性更佳且有效的避免三极管引脚出现损伤。
所述基板下表面设有散热板,波浪状的散热板,增大了散热板的表面积,从而使散发热量的速率加快,达到降低三极管温度的效果。
靠近所述基板处的第一引脚的外表面包覆有绝缘体,避免因尘埃连接两引脚,导致引脚之间产生高电弧而损伤三极管。
附图说明
图1是本实用新型三极管基板的结构示意图;
图2是本实用新型三极管的结构示意图;
图3是本实用新型三极管的侧视图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和说明书附图对本实用新型做进一步阐述和说明:
请参考图1、图2和图3,一种三极管,包括基板10、芯片20、第一引脚30、第二引脚40、第三引脚50和封装体60。
所述芯片20焊接于所述基板10上,所述第一引脚30与所述基板10连接,所述第二引脚40和所述第三引脚50分别与所述芯片20连接,所述环氧树脂封装体60包裹住所述芯片20,所述基板10包括收容所述第一引脚30对应的第一卡槽11、收容所述第二引脚40对应的第二卡槽12,以及收容所述第三引脚50对应的第三卡槽13。通过将所述第一引脚30、第二引脚40和第三引脚50依次放入与之契合的所述第一卡槽11、所述第二卡槽12和所述第三卡槽13即可完成固定操作,卡槽侧壁可以保护三极管引脚不被外物碰触划伤,且不会在封装后留下缝隙,从而使三极管主体绝缘性更佳且有效的避免三极管引脚出现损伤。
所述第一卡槽11、所述第二卡槽12和所述第三卡槽13在三者的长度延伸方向上互相平行。所述第二卡槽12和所述第三卡槽14分别到所述第一引脚11的距离相等。使三极管外观更佳美观,增强市场竞争力。
所述基板10包括相对的上表面和下表面,所述芯片20设于所述上表面,所述下表面还设有散热板14。所述散热板14呈波浪状,增大了散热板的表面积,从而使散发热量的速率加快,达到降低三极管温度的效果。
靠近所述基板10处的第一引脚20的外表面包覆有绝缘体61。所述绝缘体61与所述封装体60为一体式结构,可以有效避免因尘埃连接两引脚,导致引脚之间产生高电弧而损伤三极管。
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