[实用新型]半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置有效
| 申请号： | 201720809370.9 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN207038550U | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张汝志 | 申请（专利权）人： | 斯内尔特种材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/56;H01L33/60 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 封装 结构 | ||
1.一种半导体发光装置的预封装结构，其特征在于包括：
半导体发光器件，
以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。
2.根据权利要求1所述的预封装结构，其特征在于：所述荧光颗粒物为荧光粉，其粒径为1～50um；或，所述荧光颗粒物为荧光量子点，其粒径为1.0～100nm。
3.根据权利要求1所述的预封装结构，其特征在于：所述荧光膜的厚度为10μm～10000μm。
4.根据权利要求3所述的预封装结构，其特征在于：所述荧光膜的厚度为20～500μm。
5.根据权利要求1所述的预封装结构，其特征在于：所述荧光膜的下述剥离强度的百分率为30％以上；
所述剥离强度的百分率＝[75℃气氛下的剥离强度/25℃气氛下的剥离强度]×100
所述75℃气氛下的剥离强度：在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜从所述半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度；
所述25℃气氛下的剥离强度：在温度25℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜从所述半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度。
6.一种半导体发光装置，其特征在于包括：
半导体发光器件，
以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜的完全固化体，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物，且所述完全固化体与所述半导体发光器件结合为一体。
7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于：所述荧光颗粒物为荧光粉，其粒径为1～50um；或，所述荧光颗粒物为荧光量子点，其粒径为1.0～100nm。
8.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于：所述完全固化体的下述热失重率≤5wt％；
所述的热失重率被定义为：将所述完全固化体在温度150℃放置1000h的失重率。
9.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其特征在于：所述的热失重率在2％以下。
10.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于：所述半导体发光器件包括LED。
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