[实用新型]一种承载装置及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201720644801.0 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN206907749U | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 常青;李冰;赵梦欣 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 曾晨,马佑平 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 承载 装置 半导体 加工 设备 | ||
1.一种承载装置，其特征在于，包括加热盘、隔离件和冷却盘，其中，所述隔离件位于所述加热盘和所述冷却盘之间，以将所述加热盘和所述冷却盘之间的区域分隔为至少一个隔热区和至少一个传热区。
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述隔热区的气体压强小于所述传热区的气体压强。
3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述隔热区被设置为与非大气环境相连通；
所述传热区被设置为与大气环境相连通。
4.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述加热盘和所述冷却盘之间区域的纵向高度不大于1mm。
5.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述传热区在所述加热盘上的投影面积和所述隔热区在所述加热盘上的投影面积的比值范围为0.01-10。
6.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述隔离件具有环状结构。
7.根据权利要求6所述的承载装置，其特征在于，所述隔离件采用隔热材料制成，所述隔离件的导热系数小于16W/m·K。
8.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述加热盘与所述隔离件的接触面积不超过所述加热盘在所述冷却盘上投影的面积的5％。
9.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述冷却盘形成所述隔热区的表面上设置有第一凸起；和/或
所述加热盘形成所述隔热区的表面上设置有第二凸起。
10.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述冷却盘内还设有散热片。
11.一种半导体加工设备，其特征在于，包括工艺腔室和权利要求1至10任一项中所述的承载装置，所述承载装置安装在所述工艺腔室内。
12.根据权利要求11所述的半导体加工设备，其特征在于，所述工艺腔室为真空腔，所述隔热区被设置为与所述工艺腔室相连通；
所述传热区被设置为与所述工艺腔室的外界环境相连通。
13.根据权利要求12所述的半导体加工设备，其特征在于，所述冷却盘上设有大气通道，所述大气通道被设置为用于将所述传热区与大气环境相连通。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
