[实用新型]一种高频高压开关

说明书

技术领域

本实用新型涉及开关技术领域，特别涉及一种高频高压开关。

背景技术

现有技术的高压开关在投切设备时会出现较大的暂态电流，尤其是在投切感抗很大(如变压器或电抗器)或容抗很大(如电容器组)时产生的暂态电流对电网会造成很大的波动，其产生的高频谐波对运行的设备有很大的危害性。

现有的开关电路使用砷化镓场效应晶体管（gallium arsenide field effect transistor，GaAsFET）作为开关元件，但是砷化镓场效应晶体管工艺复杂，成本较高；另一种现有技术的天线开关电路由一个NMOS三极管构成开关元件，直接接在无线通讯设备的电路上，其工作原理是：当NMOS三极管源极和漏极偏置电压为地，门极的偏压为高电平的时候，NMOS三极管开关将合上，当NMOS三极管源极和漏极偏置电压为高电平，门极的偏压为地的时候，NMOS三极管开关将打开，此种天线开关由于只有一个NMOS三极管，因此天线开关电路的击穿电压就是该单个NMOS三极管的击穿电压，由于开关元件直接与通讯设备的电路相连，接通了高电压的源极和漏极之间产生的较大的寄生电容降低了开关元件的频率响应。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种高频高压开关，以实现有较高的击穿电压，较低的阻抗，较小的电路衰减，较高的频率响应，并且成本低廉。

为达到上述目的，本实用新型实施例公开了一种高频高压开关，包括第一开关电路和第二开关电路，所述第一开关电路和所述第二开关电路串联连接；

所述第一开关电路由两个NMOS三极管串联组成；其中，各个NMOS三极管的源极与相邻的NMOS三极管的漏极连接；

所述第二开关电路由负载开关和可控硅组成，所述可控硅的与第一开关K1所述第二开关K2并联。

可选的，所述第一开关电路包括：NMOS三极管Q1和NMOS三极管Q2，所述NMOS三极管Q1的源极与输入端相连，所述NMOS三极管Q1的栅极与所述第二开关电路相连。

可选的，所述第二开关电路包括：电阻R1与电容C2相连，所述电容C2与开关K1相连，所述开关K1与可控硅Q3的一端相连，所述可控硅Q3的另一端与所述电阻R1相连、并与开关K2的一端相连，所述开关K2的另一端与K1相连；所述可控硅Q3的三端与电阻R1相连。

可选的，所述开关K1和所述开关K2为单组负载开关。

可选的，所述开关K1和所述开关K2为多组负载开关。

可选的，所述NMOS三极管Q2的漏极通过电感L1与负载电路相连。

可选的，所述R1的阻值为47K欧姆，所述电阻R2的阻止为470欧姆。

应用本实用新型实施例，本实用新型能够通过第一开关电路的NMOS该电路的击穿电压即为这些串联的NMOS三极管的击穿电压总和，因此本实用新型耐高压的高频天线开关电路具有更高的击穿电压；对于第二开关由可控硅堆和辅助开关构成的旁路系统，完成使多组负载开关都具有过零点时投切的功能，以适应目前以升高或降低开关组件的门极电压，减少了本实用新型电路的寄生电容，从而使得本实用新型电路具有较低的阻抗，较小的电路衰减，较高的频率响应；本实用新型电路的开关组件由于使用工艺较简单的NMOS三极管组成，因此本实用新型成本低廉。

附图说明

图1为一种高频高压开关的连接框图；

图2为一种高频高压开关的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型做进一步描述：

实施例1：包括第一开关电路和第二开关电路，所述第一开关电路D1和所述第二开关电路D2串联连接；所述第一开关电路由两个NMOS三极管串联组成；其中，各个NMOS三极管的源极与相邻的NMOS三极管的漏极连接；所述第二开关电路由负载开关和可控硅组成，所述可控硅的与第一开关K1所述第二开关K2并联。

本实用新型能够通过第一开关电路的NMOS该电路的击穿电压即为这些串联的NMOS三极管的击穿电压总和，因此本实用新型耐高压的高频天线开关电路具有更高的击穿电压；对于第二开关由可控硅堆和辅助开关构成的旁路系统，完成使多组负载开关都具有过零点时投切的功能，以适应目前以升高或降低开关组件的门极电压，减少了本实用新型电路的寄生电容，从而使得本实用新型电路具有较低的阻抗，较小的电路衰减，较高的频率响应；本实用新型电路的开关组件由于使用工艺较简单的NMOS三极管组成，因此本实用新型成本低廉。