[实用新型]一种倒装芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种倒装芯片的封装结构。

背景技术

倒装芯片与正装芯片相比，它具有较好的散热功能，具有低电压、高亮度、高可靠性、高饱和电流密度等优点，因此倒装芯片在大功率LED器件上有着广泛的应用。

对于现有的贴片式倒装LED封装结构常是在支架固晶区点锡膏，然后将倒装芯片贴放在锡膏上，芯片电极与锡膏对应，经过回流焊，实现固晶。但是由于金属支架和塑胶料的膨胀系数不同 ，在过回流焊固晶的时候，金属支架会存在弯曲的情况，使得金属支架变得不平整，因此锡膏无法均匀的分布在芯片电极和金属支架之间，使得芯片电极和金属支架之间会存在空洞，甚至存在没有焊接在一起存在虚焊的问题，这直接影响了芯片的散热和稳定性。为了解决这个问题，有人提出增加锡膏的量，但是由于支架的两个电极之间的绝缘层间距比较小，而且倒装芯片的两个电极的之间的间隙也比较小，会存在点在支架两个电极上的锡膏跨过绝缘层连接在一起，造成短路。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种倒装芯片封装结构，该倒装芯片封装结构通过在倒装芯片和封装支架之间插入缓冲层的方式，以解决现有倒装芯片在回流焊时因膨胀系数差异大造成焊接质量不好的问题。

具体方案如下：

一种倒装芯片封装结构，包括支架本体、倒装芯片以及封装胶体，所述支架本体包括至少两个金属电极以及绝缘材料，所述倒装芯片固定在支架本体的碗杯内，所述封装胶体涂覆在倒装芯片上，所述支架本体的碗杯内还设有对应金属电极数量的缓冲层，所述缓冲层均由金属材料制成，所述缓冲层之间通过绝缘河道进行分割和电性隔离，所述缓冲层的上表面设置有第一可焊接金属层以对应连接倒装芯片的电极，所述缓冲层的下表面设有第二可焊金属层以对应连接支架本体上的金属电极。

优选的，所述支架本体的金属电极与缓冲层相焊接的面上设有第三可焊金属层，所述缓冲层和金属电极之间通过第二可焊金属层和第三可焊金属层直接焊接固定。

优选的，所述第二可焊金属层和第三可焊金属层均为锡或者锡合金。

优选的，所述第二可焊金属层的厚度为100-200um，所述第三可焊金属层的厚度为150-250um。

优选的，所述缓冲层的上表面包括焊盘区和反射区，所述焊盘区位于缓冲层的对应固定倒装芯片的位置，所述反射区位于其他位置，所述反射区上设有反射层。

优选的，所述绝缘河道内填充有绝缘材料，所述绝缘材料为有机硅胶绝缘材料。

优选的，所述绝缘材料的顶面超过缓冲层的上表面20-30um。

优选的，所述绝缘河道的宽度为180-220um。

与现有的倒装芯片封装结构相比较，本实用新型提供的一种倒装芯片封装结构具有以下有益效果：

1、本实用新型提供的一种倒装芯片封装结构在倒装芯片的电极和支架的金属电极之间插入缓冲层，倒装芯片焊接在缓冲层上，缓冲层再焊接在支架的金属电极上，可以减少倒装芯片和支架在回流焊时因支架的金属电极和塑胶料之间膨胀系数差异大造成焊接质量不好的问题。

2、本实用新型提供的一种倒装芯片封装结构的缓冲层的下表面和支架的金属电极的上表面都设有锡层，两种通过锡层直接焊接在一起，而不需要在两者之间点锡膏，可以大幅度减少焊接处的空洞，使得两者之间焊接更加紧密，提高焊接质量和散热效果。

3、本实用新型提供的一种倒装芯片封装结构的缓冲层的绝缘河道中填充的绝缘材料的顶面超过缓冲层的上表面，绝缘材料采用软质的有机硅胶绝缘材料，在缓冲层在回流焊时膨胀时，由于有机硅胶柔软的特性，仍能保证缓冲层的平整，并且由于绝缘材料的阻挡，正负电极上的锡膏也不会连在一起，可以保证倒装芯片的与缓冲层之间的焊接质量。

4、本实用新型提供的一种倒装芯片封装结构的缓冲层的上表面包括焊盘区和反射区，反射区采用镜面银镀层，可以提高倒装芯片的出光效率，提高该封装结构的光效。

附图说明

图1示出了倒装芯片封装结构的示意图。

图2示出了实施例1中缓冲层的结构示意图。

图3示出了实施例2中支架本体的金属电极的示意图。

图4示出了实施例3缓冲层的俯视图。

图5示出了实施例4中缓冲层的结构示意图。

具体实施方式