[实用新型]一种倒装芯片封装结构

权利要求书

1.一种倒装芯片封装结构，包括支架本体、倒装芯片以及封装胶体，所述支架本体包括至少两个金属电极以及绝缘材料，所述倒装芯片固定在支架本体的碗杯内，所述封装胶体涂覆在倒装芯片上，其特征在于：所述支架本体的碗杯内还设有对应金属电极数量的缓冲层，所述缓冲层均由金属材料制成，所述缓冲层之间通过绝缘河道进行分割和电性隔离，所述缓冲层的上表面设置有第一可焊接金属层以对应连接倒装芯片的电极，所述缓冲层的下表面设有第二可焊金属层以对应连接支架本体上的金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种倒装芯片封装结构，其特征在于：所述支架本体的金属电极与缓冲层相焊接的面上设有第三可焊金属层，所述缓冲层和金属电极之间通过第二可焊金属层和第三可焊金属层直接焊接固定。

3.根据权利要求2所述的一种倒装芯片封装结构，其特征在于：所述第二可焊金属层和第三可焊金属层均为锡或者锡合金。

4.根据权利要求2所述的一种倒装芯片封装结构，其特征在于：所述第二可焊金属层的厚度为100-200um，所述第三可焊金属层的厚度为150-250um。

5.根据权利要求1所述的一种倒装芯片封装结构，其特征在于：所述缓冲层的上表面包括焊盘区和反射区，所述焊盘区位于缓冲层的对应固定倒装芯片的位置，所述反射区位于其他位置，所述反射区上设有反射层。

6.根据权利要求1所述的一种倒装芯片封装结构，其特征在于：所述绝缘河道内填充有绝缘材料，所述绝缘材料为有机硅胶绝缘材料。

7.根据权利要求6所述的一种倒装芯片封装结构，其特征在于：所述绝缘材料的顶面超过缓冲层的上表面20-30um。

8.根据权利要求1所述的一种倒装芯片封装结构，其特征在于：所述绝缘河道的宽度为180-220um。