[实用新型]CMOS图像传感器封装结构

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器封装结构，包括感光传感器和封装件，其特征在于：所述封装件包括基座和板盖，所述基座包括底座、设置在底座上方中心区域的安装槽、在底座上方两侧延伸的卡块，所述卡块的下方设有滑槽，所述滑槽与板盖配合连接；所述感光传感器依次设有基板、惰性金属层和第一导电层，所述第一导电层呈螺旋状排布在惰性金属层上方。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器封装结构，其特征在于，所述第一导电层为光敏金属层。

3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器封装结构，其特征在于，所述基板为透明材质层，所述透明材质材料层可为透明陶瓷层、玻璃层、有机玻璃层、蓝宝石层中的任一种。

4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器封装结构，其特征在于，所述安装槽的水平截面为圆形或椭圆形。

5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器封装结构，其特征在于，所述板盖为透明板盖。

6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器封装结构，其特征在于，所述板盖下方设有聚光层。

7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器封装结构，其特征在于，所述板盖安装到卡块滑槽内部后，板盖的聚光层的下底面与基座底座的上表面相抵。

8.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器封装结构，其特征在于，所述底座依次包括安装层、第二导电层、散热层，所述安装层的中心区域设有安装槽，所述安装槽内部位于所述第二导电层上方设有稳定层，所述稳定层内对称设有导电通孔，所述导电通孔分别感光传感器和第二导电层连接。

9.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器封装结构，其特征在于，所述稳定层的厚度为300-600um。

10.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器封装结构，其特征在于，所述的第二导电层的厚度为0.75-1.25mm。