[发明专利]测量点补偿值的计算方法、装置及设备

说明书

本发明提出一种测量点补偿值的计算方法，包括以下步骤：确定多个测量图案中的多个测量点，获取所述测量点的初始值；由测量图案中的测量点中设定第一测量点群组，根据第一测量点群组中的测量点的初始值计算第一补偿值；根据第一补偿值对第一测量点群组中的测量点的初始值进行补偿，得到测量点的校准值；以及由测量图案中的测量点中设定第二测量点群组，当第二测量点群组与第一测量点群组存在测量点交集时，产生交集部分的测量点的校准值返回到测量点的初始值，并根据第二测量点群组中测量点的初始值计算第二补偿值。本发明通过一次性对多个不同的图案进行合并测量，然后再计算不同群组的补偿值，从而减少量测的次数和整体时长。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种测量点补偿值的计算方法、装置及设备。

背景技术

光刻工艺应用于半导体制造过程中，光刻过程是将掩膜(Mask)上的图形形式的电路结构通过对准、曝光、显影等步骤转印到涂有光刻胶的晶圆表面，从而在晶圆表面形成一层光刻胶掩蔽图形。

半导体器件由很多层电路重叠而成，因此需要数十次的光刻步骤，必须保证每一层与前层以及后层相对准，即叠对(Overlay)，叠对误差大将直接影响半导体器件的性能，甚至导致短路而使器件失效。

因此，需要在晶圆上的多层掩膜上分别设置测量点，将上下两层掩膜的测量点进行对准。如果发现上下两层掩膜的测量点之间有偏差，则需要计算一个补偿值对掩膜的位置进行修正。

由于目前有多种不同的补偿项目，需分次量测不同对准图案，再个别计算出不同补偿值参数，整个程序完成所需时间较长。

以上的说明仅仅是为了帮助本领域技术人员理解本发明的背景，不代表以上内容为本领域技术人员所公知或知悉。

发明内容

本发明实施例提供一种测量点补偿值的计算方法及装置，以至少解决现有技术中的以上技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种测量点补偿值的计算方法，包括以下步骤：

确定多个测量图案中的多个测量点，获取所述测量点的初始值；

由所述测量图案中的测量点中设定第一测量点群组，根据所述第一测量点群组中的测量点的初始值计算第一补偿值；

根据所述第一补偿值对所述第一测量点群组中的测量点的初始值进行补偿，得到所述测量点的校准值；以及

由所述测量图案中的所述测量点中设定第二测量点群组，当第二测量点群组与第一测量点群组存在测量点交集时，产生交集部分的所述测量点的校准值返回到所述测量点的初始值，并根据第二测量点群组中测量点的初始值计算第二补偿值。

在一个实施例中，所述第一测量点群组的测量点包括待测晶圆上的已知测量点；以及

计算所述第一补偿值的步骤包括：

对所述待测晶圆上的已知测量点的初始值执行线性补偿计算，得到所述第一补偿值。

在一个实施例中，所述第二测量点群组的测量点包括至少一个曝光单元中的测量点；以及

计算所述第二补偿值的步骤包括：

计算出所述曝光单元的所述第二补偿值。

在一个实施例中，所述第一测量点群组的测量点包括至少一个曝光单元的测量点；以及

计算所述第一补偿值的步骤包括：

计算出所述曝光单元的所述第一补偿值。

在一个实施例中，所述第二测量点群组的测量点包括待测晶圆上的已知测量点；以及

所述计算第二补偿值的步骤包括：