[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成隔离结构；

在所述半导体衬底上形成鳍部，鳍部包括第一区和位于第一区上的第二区，所述鳍部第一区的侧壁被隔离结构覆盖，且鳍部第二区的侧壁被隔离结构完全暴露，在鳍部宽度方向上，所述鳍部第二区中底部的尺寸小于鳍部第一区中的顶部的尺寸；

在隔离结构上形成横跨鳍部第二区的栅极结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述隔离结构之前，在半导体衬底上形成初始鳍部；形成所述隔离结构后，隔离结构覆盖初始鳍部的部分侧壁；对所述隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀，使初始鳍部形成所述鳍部。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述初始鳍部的底部宽度大于初始鳍部的顶部宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离结构暴露出的初始鳍部包括第一暴露区和位于第一暴露区上的第二暴露区；在对隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀的过程中，在沿初始鳍部宽度方向上，对第一暴露区的平均刻蚀尺寸大于对第二暴露区的平均刻蚀尺寸。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在对隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀的过程中，初始鳍部的侧壁表面至半导体衬底表面的距离越小的区域在沿初始鳍部宽度方向上受到刻蚀的尺寸越大。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀的工艺为干刻工艺，参数包括：采用的气体包括NF₃、H₂和He，NF₃的流量为5sccm～15sccm，H₂的流量为30sccm～50sccm，He的流量为4500sccm～6000sccm，源射频功率为28瓦～35瓦，腔室压强为0torrr～0.05torr。

7.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在对隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀的过程中，在沿初始鳍部宽度方向上，对初始鳍部的侧壁表面各处的刻蚀尺寸相等。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对隔离结构暴露出的初始鳍部的侧壁进行刻蚀的工艺为干刻工艺，参数包括：采用的气体包括NF₃、H₂和He，NF₃的流量为180sccm～220sccm，H₂的流量为3600sccm～3800sccm，He的流量为2200sccm～2300sccm，源射频功率为220瓦～300瓦，腔室压强为2torrr～5torr。

9.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的方法包括：在所述半导体衬底上形成覆盖初始鳍部侧壁的隔离结构膜；回刻蚀隔离结构膜，使隔离结构膜形成所述隔离结构。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，回刻蚀隔离结构膜的方法包括：对隔离结构膜进行第一次回刻蚀，暴露出初始鳍部的部分侧壁；进行第一次回刻蚀后，对隔离结构膜进行第二次回刻蚀，使隔离结构膜形成所述隔离结构；

所述半导体器件的形成方法还包括：进行第一次回刻蚀后，且在进行第二次回刻蚀之前，对隔离结构膜暴露出的初始鳍部进行表面圆滑处理。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述表面圆滑处理包括退火处理。