[发明专利]一种白光LED封装结构以及白光源系统

权利要求书

1.一种白光LED封装结构，包括：基板，LED芯片以及波长转换材料层；其特征在于：至少两种波长的LED芯片，其中第一种LED芯片的峰值波长介于385~420nm之间，第二种LED芯片的峰值波长长于第一种LED芯片的峰值波长，所述波长转换材料层的发射光谱峰值波长介于440~700nm，所述波长转换材料层吸收由所述LED芯片射出的光而发出白光源，所述波长转换材料层包含发射蓝光的波长转换材料，所述发射蓝光的波长转换材料被第一种LED芯片激发；设所述白光源的发光光谱为P(λ)，与所述白光源具有相同色温的黑体辐射的发光光谱为B(λ)，表征白光LED的光谱与黑体辐射光谱的相似度，在380~780nm内，白光源满足以下关系式：0.9，0.75，其中=。

2.一种白光LED封装结构，包括：基板，LED芯片以及波长转换材料层；其特征在于：至少两种波长的LED芯片，其中第一种LED芯片的峰值波长介于385~420nm之间，第二种LED芯片的峰值波长长于第一种LED芯片的峰值波长，所述波长转换材料层的发射光谱峰值波长介于440~700nm，所述波长转换材料层吸收由所述LED芯片射出的光而发出白光源，所述波长转换材料层包含发射蓝光的波长转换材料，所述发射蓝光的波长转换材料被第一种LED芯片激发；设所述白光源的发光光谱为P(λ)，与所述白光源具有相同色温的黑体辐射的发光光谱为B(λ)，表征白光LED的光谱与黑体辐射光谱的相似度，在510~610nm内，白光源满足以下关系式：0.99，0.9，其中=。

3.一种白光LED封装结构，包括：基板，LED芯片以及波长转换材料层；其特征在于：至少两种波长的LED芯片，其中第一种LED芯片的峰值波长介于385~420nm之间，第二种LED芯片的峰值波长长于第一种LED芯片的峰值波长，所述波长转换材料层的发射光谱峰值波长介于440~700nm，所述波长转换材料层吸收由所述LED芯片射出的光而发出白光源，所述波长转换材料层包含发射蓝光的波长转换材料，所述发射蓝光的波长转换材料被第一种LED芯片激发；设所述白光源的发光光谱为P(λ)，与所述白光源具有相同色温的黑体辐射的发光光谱为B(λ)，P(λ_max)为在380~780nm内的光强最大值，B(λ_max)为在380~780nm内的黑体辐射的光强最大值，D₁(λ)表征白光LED的光谱与黑体辐射光谱的差异值，在510~610nm内，白光源满足以下关系式：D₁(λ)=P(λ)/ P(λ_max)-B(λ)/B(λ_max)，-0.15 D₁(λ)0.15。

4.一种白光LED封装结构，包括：基板，LED芯片以及波长转换材料层；其特征在于：至少两种波长的LED芯片，其中第一种LED芯片的峰值波长介于385~420nm之间，第二种LED芯片的峰值波长长于第一种LED芯片的峰值波长，所述波长转换材料层的发射光谱峰值波长介于440~700nm，所述波长转换材料层吸收由所述LED芯片射出的光而发出白光源，所述波长转换材料层包含发射蓝光的波长转换材料，所述发射蓝光的波长转换材料被第一种LED芯片激发；设所述白光源的发光光谱为P(λ)，与所述白光源具有相同色温的黑体辐射的发光光谱为B(λ)，D₂(λ)表征白光LED的光谱与黑体辐射光谱的差异值，在400~500nm内，白光源满足以下关系式：D₂(λ)= P(λ)/P(500nm) -B(λ) /B(500nm)，-0.25D₂(λ)0.25。

5.根据权利要求1至4的任意一项所述的一种白光LED封装结构，其特征在于：所述波长转换材料层还包括另一种波长转换材料，被第二种LED芯片激发，所述另一种波长转换材料的发射光谱波长介于500~700nm。

6.根据权利要求1至4的任意一项所述的一种白光LED封装结构，其特征在于：所述第二种LED芯片的峰值波长介于440~460nm之间。