[发明专利]一种两通路TVS器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种两通路TVS器件，其包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。传统TVS器件是单路器件，通过单芯片或者两颗芯片或者多颗芯片串联叠加实现，无法在得到大浪涌能力的同时对两路电路同时保护。本发明通过两颗芯片并联后与第三颗芯片叠加的方法，让器件同时兼备大浪涌能力和多路保护的特性，并且器件具有封装体积小，成本低的优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种两颗TVS并联后与第三颗TVS串联的大浪涌TVS(Transient Voltage Suppressors)器件及其制备方法。

背景技术

随着电子信息技术的发展，半导体器件日趋小型化，高密度和多功能化，尤其是便携式的消费电子产品对主板面积有严格的要求。

瞬态电压抑制器(TVS)是一种用于电压瞬变和浪涌防护的半导体器件，正可以很好的解决这些问题。它具有箝位系数很小，体积小，响应快，漏电流小，可靠性高等优点。因而在电压瞬变和浪涌的防护上得到广泛应用。

随着科技的发展我们希望TVS具有更大抗浪涌能力，并能对两路甚至多路电路同时防护。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种使用两颗TVS并联后与第三颗TVS串联封装两通路TVS器件及其制备方法，来保证器件能同时对两路电路防护。

本发明采用的技术方案为：

一种两通路TVS器件，包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。

具体地，所述两通路TVS器件的结构由上到下依次为两颗并排设置的版面较小的TVS和一颗版面较大的TVS，两颗版面较小TVS的结构从上到下依次为上框架、焊料、芯片、焊料、铜片或者中间框架，一颗版面较大的TVS的结构从上到下依次为铜片或中间框架、焊料、芯片、焊料、下框架，所述铜片或者中间框架为三颗TVS芯片共用。

上述两通路TVS器件的制备方法包括以下步骤：

步骤A：把铜片或中间框架、TVS芯片和下框架用焊料进行粘结，然后低温预回流使焊料凝固；

步骤B：把两颗TVS芯片分别与两个上框架用焊料进行粘接，然后低温预回流使焊料凝固；

步骤C：在经步骤A处理的铜片或中间框架上点两排锡膏，把经步骤B处理的芯片与锡膏对齐叠合；

步骤D：隧道炉焊接；

步骤E：塑封，测试。

本发明的有益效果是：本发明是一种双向双路钳位防浪涌器件。可以同时对两路电路实现浪涌防护，本发明可以有集成度要求的电路上使用，并且具有封装体积小，成本低，可靠性高的优点。

附图说明

图1是本发明两通路TVS器件制造方法步骤A的状态示意图；图1A为正视图，图1B为侧视图。

图2是本发明两通路TVS器件制造方法步骤B的状态示意图；图2A为正视图，图2B为侧视图。

图3是本发明两通路TVS器件制造方法步骤C的状态示意图；图3A为正视图，图3B为侧视图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例和附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。