[发明专利]垂直型双色LED芯片

说明书

本发明涉及一种垂直型双色LED芯片，包括：依次层叠设置的第一金属层1030、第二金属层1022、第三金属层1021、第四金属层1020，所述蓝光结构10和所述绿光结构20设置于所述第四金属层1020上，所述蓝光结构10和所述绿光结构20通过氧化隔离层12进行隔离。本发明的有益效果为：1、本发明的垂直型双色LED芯片荧光粉的用量少，改善了因大量离散分布的荧光粉颗粒致使光线变弱的问题；2、本发明的垂直型双色LED芯片集成度高，制作成本低；3、本发明的垂直型双色LED芯片色温的调节更加灵活。

技术领域

本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种垂直型双色LED芯片。

背景技术

LED灯具的出现，极大地降低照明所需要的电力，同样瓦数的LED灯，所需电力只有白炽灯泡的1/10，同时LED具有寿命长、环保、免维护等优点，迅速取代白炽灯的位置。

在工艺结构上，白光LED通常采用两种方法形成，第一种是利用“蓝光技术”与荧光粉配合形成白光；但是，这种采用荧光粉的工艺通常因为荧光粉胶层中存在大量离散分布的荧光粉颗粒，光线入射到荧光粉胶层中会出现强烈的散射现象。这种散射一方面强化了荧光粉胶层对光线的吸收作用，另一方面也导致大量光线被反射，即透射过荧光粉层的光线会显著减少，从而导致芯片的散热效果较差。第二种是多种单色光混合方法，这种多芯片混合技术存在可靠性差，封装难度大的问题。

因此，如何研制一种白光单芯片工艺成为LED芯片技术领域的热点问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种垂直型双色LED芯片。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种垂直型双色LED芯片，包括：依次层叠设置的第一金属层1030、第二金属层1022、第三金属层1021、第四金属层1020，所述蓝光结构10和所述绿光结构20设置于所述第四金属层1020上，所述蓝光结构10和所述绿光结构20通过氧化隔离层12进行隔离。

在本发明的一个实施例中，还包括第一上电极51、第二上电极52、下电极53，其中，所述第一上电极51设置于所述蓝光结构10上，所述第二上电极52设置于所述绿光结构20上，所述下电极53位于所述第一金属层1030底部。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光结构10和所述绿光结构20的横截面均为矩形。

在本发明的一个实施例中，所述矩形的长和宽均为100微米。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光结构10包括依次层叠设置的蓝光GaN缓冲层101、蓝光GaN稳定层102、蓝光n型GaN层103、蓝光InGaN/GaN多量子阱结构104、蓝光p型AlGaN阻挡层105、蓝光p型GaN层106。

在本发明的一个实施例中，所述绿光结构20包括依次层叠设置的绿光GaN缓冲层201、绿光GaN稳定层202、绿光n型GaN层203、绿光有源层204、绿光p型AlGaN阻挡层205、绿光p型GaN层206。

在本发明的一个实施例中，所述第三金属层1021的厚度为300nm-1500nm。

在本发明的一个实施例中，所述第二金属层1022的厚度为500nm-2500nm。

在本发明的一个实施例中，所述氧化隔离层12的材料为SiO2。

在本发明的一个实施例中，所述第二金属层1022和所述第三金属层1021的材料相同。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

1、本发明的垂直型双色LED芯片荧光粉的用量少，改善了因大量离散分布的荧光粉颗粒致使光线变弱的问题；