[发明专利]垂直型双色LED芯片在审
| 申请号： | 201711383453.7 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108075028A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/62 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直型双 金属层 蓝光 绿光 荧光粉 第二金属层 第一金属层 氧化隔离层 荧光粉颗粒 离散分布 依次层叠 集成度 色温 隔离 灵活 制作 | ||
1.一种垂直型双色LED芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一金属层(1030)、第二金属层(1022)、第三金属层(1021)、第四金属层(1020)，所述蓝光结构(10)和所述绿光结构(20)设置于所述第四金属层(1020)上，所述蓝光结构(10)和所述绿光结构(20)通过氧化隔离层(12)进行隔离。
2.根据权利要求1所述的垂直型双色LED芯片，其特征在于，还包括第一上电极(51)、第二上电极(52)、下电极(53)，其中，所述第一上电极(51)设置于所述蓝光结构(10)上，所述第二上电极(52)设置于所述绿光结构(20)上，所述下电极(53)位于所述第一金属层(1030)底部。
3.根据权利要求1所述的垂直型双色LED芯片，其特征在于，所述蓝光结构(10)和所述绿光结构(20)的横截面均为矩形。
4.根据权利要求3所述的垂直型双色LED芯片，其特征在于，所述矩形的长和宽均为100微米。
5.根据权利要求1所述的垂直型双色LED芯片，其特征在于，所述蓝光结构(10)包括依次层叠设置的蓝光GaN缓冲层(101)、蓝光GaN稳定层(102)、蓝光n型GaN层(103)、蓝光InGaN/GaN多量子阱结构(104)、蓝光p型AlGaN阻挡层(105)、蓝光p型GaN层(106)。
6.根据权利要求1所述的垂直型双色LED芯片，其特征在于，所述绿光结构(20)包括依次层叠设置的绿光GaN缓冲层(201)、绿光GaN稳定层(202)、绿光n型GaN层(203)、绿光有源层(204)、绿光p型AlGaN阻挡层(205)、绿光p型GaN层(206)。
7.根据权利要求1所述的垂直型双色LED芯片，其特征在于，所述第三金属层(1021)的厚度为300nm-1500nm。
8.根据权利要求1所述的垂直型双色LED芯片，其特征在于，所述第二金属层(1022)的厚度为500nm-2500nm。
9.根据权利要求1所述的垂直型双色LED芯片，其特征在于，所述氧化隔离层(12)的材料为SiO
10.根据权利要求1所述的垂直型双色LED芯片，其特征在于，所述第二金属层(1022)和所述第三金属层(1021)的材料相同。
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