[发明专利]场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法

说明书

本发明提供了一种场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。场效应晶体管包括第一导电类型重掺杂衬底和第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型外延层。第一导电类型外延层的中间向上延伸形成有凸起区域，在凸起区域两侧分别为第一区域和第二区域。在第一导电类型外延层上的预设中心区域设置有硅槽，在硅槽内注入第二导电类型以使在所述第一区域上形成有第二导电类型第一沟道阱区和在第二区域上形成有第二导电类型第二沟道阱区。第二导电类型第一沟道阱区内设置有注入第一导电类型后退火形成的第一源区。第二导电类型第二沟道阱区设置有注入第一导电类型后退火形成的第二源区。以提高场效应晶体管的雪崩耐量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。现有的金氧半场效晶体管的雪崩耐量能力较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法，以改善上述问题。为了实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种场效应晶体管，包括第一导电类型重掺杂衬底和所述第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型外延层。所述第一导电类型外延层的中间向上延伸形成有凸起区域，在所述凸起区域两侧分别为第一区域和第二区域。在所述第一导电类型外延层上的预设中心区域设置有硅槽，在所述硅槽内注入第二导电类型以使在所述第一区域上形成有第二导电类型第一沟道阱区和在所述第二区域上形成有第二导电类型第二沟道阱区。所述第二导电类型第一沟道阱区内设置有注入所述第一导电类型后退火形成的第一源区。所述第二导电类型第二沟道阱区设置有注入所述第一导电类型后退火形成的第二源区。其中，当发生雪崩时，雪崩产生的一部分空穴电流流经所述第一源区和所述第二源区的下方，使得所述第二导电类型第一沟道阱区和所述第一源区形成第一压差，所述第二导电类型第二沟道阱区和所述第二源区形成第二压差，通过所述第一压差及所述第二压差诱导雪崩发生的位置，以提高所述场效应晶体管的雪崩耐量。

进一步地，上述硅槽为倒梯形硅槽。

进一步地，上述倒梯形硅槽的深度范围为0.2um～1um，角度范围为45度～70度。

进一步地，上述第二导电类型第一沟道阱区、所述凸起区域和第二导电类型第二沟道阱区上设置有栅氧化层及在沉积多晶硅后形成于所述栅氧化层上的栅极。

进一步地，上述第一源区、所述第二源区和所述栅极上设置有绝缘层。

进一步地，上述绝缘层为沉积氧化层后残留的氧化层。

进一步地，上述绝缘层、所述第二导电类型第一沟道阱区和第二导电类型第二沟道阱区上设置有沉积金属形成的源极。所述第一导电类型重掺杂衬底下设置有沉积金属形成的漏极。

进一步地，上述场效应晶体管为N型场效应晶体管，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

进一步地，上述场效应晶体管为P型场效应晶体管，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

第二方面，本发明实施例提供了一种集成电路，包括上述的场效应晶体管和外围电路。所述场效应晶体管与所述外围电路电连接。