[发明专利]场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括第一导电类型重掺杂衬底和所述第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层的中间向上延伸形成有凸起区域，在所述凸起区域两侧分别为第一区域和第二区域，在所述第一导电类型外延层上的预设中心区域设置有硅槽，在所述硅槽内注入第二导电类型以使在所述第一区域上形成有第二导电类型第一沟道阱区和在所述第二区域上形成有第二导电类型第二沟道阱区，所述第二导电类型第一沟道阱区内设置有注入所述第一导电类型后退火形成的第一源区，所述第二导电类型第二沟道阱区设置有注入所述第一导电类型后退火形成的第二源区，其中，当发生雪崩时，雪崩产生的一部分空穴电流流经所述第一源区和所述第二源区的下方，使得所述第二导电类型第一沟道阱区和所述第一源区形成第一压差，所述第二导电类型第二沟道阱区和所述第二源区形成第二压差，通过所述第一压差及所述第二压差诱导雪崩发生的位置，以提高所述场效应晶体管的雪崩耐量。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述硅槽为倒梯形硅槽。

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述倒梯形硅槽的深度范围为0.2um～1um，角度范围为45度～70度。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第二导电类型第一沟道阱区、所述凸起区域和第二导电类型第二沟道阱区上设置有栅氧化层及在沉积多晶硅后形成于所述栅氧化层上的栅极。

5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一源区、所述第二源区和所述栅极上设置有绝缘层。

6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于，在所述绝缘层、所述第二导电类型第一沟道阱区和第二导电类型第二沟道阱区上设置有沉积金属形成的源极，所述第一导电类型重掺杂衬底下设置有沉积金属形成的漏极。

7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管为N型场效应晶体管，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管为P型场效应晶体管，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

9.一种集成电路，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的场效应晶体管和外围电路，所述场效应晶体管与所述外围电路电连接。

10.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在第一导电类型重掺杂衬底上形成第一导电类型外延层；

所述第一导电类型外延层的中间向上延伸形成凸起区域，在所述凸起区域两侧分别为第一区域和第二区域；

在所述第一导电类型外延层上的预设中心区域设置硅槽；

在所述硅槽内注入第二导电类型以使在所述第一区域上形成第二导电类型第一沟道阱区和在所述第二区域上形成第二导电类型第二沟道阱区；

在所述第二导电类型第一沟道阱区内注入所述第一导电类型后退火形成第一源区，在所述第二导电类型第二沟道阱区注入所述第一导电类型退火后形成第二源区，当发生雪崩时，雪崩产生的一部分空穴电流流经所述第一源区和所述第二源区的下方，使得所述第二导电类型第一沟道阱区和所述第一源区形成第一压差，所述第二导电类型第二沟道阱区和所述第二源区形成第二压差，通过所述第一压差及所述第二压差诱导雪崩发生的位置，以提高所述场效应晶体管的雪崩耐量。