[发明专利]原子层沉积法制备Mo掺杂VO2

权利要求书

1.一种Mo掺杂VO2薄膜，其特征在于，所述Mo掺杂VO2薄膜的化学组成为V1-xMoxO2，其中0.02≤x≤0.1，所述Mo掺杂VO2薄膜通过原子层沉积法在衬底上交替循环沉积VO2和MoO3得到VO2/MoO3纳米叠层并经退火而得到。

2.根据权利要求1所述的Mo掺杂VO2薄膜，其特征在于，所述Mo掺杂VO2薄膜的可见光透过率为56%以上，相变温度为-11℃～67℃，晶相为单斜相或四方相。

3.一种权利要求1或2所述的Mo掺杂VO2薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

于140℃～210℃，通过原子层沉积法在衬底上交替循环沉积VO2和MoO3得到VO2/MoO3纳米叠层；以及

所述VO2/MoO3纳米叠层经真空下退火处理，得到晶化的Mo掺杂VO2薄膜；

所述交替循环沉积VO2和MoO3包括m个VO2沉积循环和n个MoO3沉积循环重复进行若干次，m为40以上的自然数，n为2～10中的自然数。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述VO2沉积循环的脉冲吹扫程序为钒源前驱体-惰性气体-反应气体A-惰性气体、或反应气体A-惰性气体-钒源前驱体-惰性气体，所述MoO3沉积循环的脉冲吹扫程序为钼源前驱体-惰性气体-反应气体B-惰性气体、或反应气体B-惰性气体-钼源前驱体-惰性气体。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述钒源前驱体为四价的钒源，优选V(NMe2)4和/或V(NEtMe)4，所述反应气体A为H2O和/或O3；所述钼源前驱体为六价钼源，优选Mo(CO)6，所述反应气体B为等离子增强O2和/或O3。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述钒源前驱体为加热至40℃～60℃的V(NMe2)4和/或V(NEtMe)4，所述钼源前驱体为加热至40℃～60℃的Mo(CO)6。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为单晶Si、Al2O3、熔融石英基底中的一种。