[发明专利]双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层；

通过光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽；

在所述隔离沟槽底部填充第一氧化物，所述第一氧化物的上表面高于所述N型埋层的下表面且低于所述N型埋层的上表面；

对所述隔离沟槽的侧壁的N型外延层进行倾斜注入从而在所述隔离沟槽外围形成N型阱区；

在所述隔离沟槽的第一氧化物上形成第二氧化物；

在所述N型外延层表面形成基区、连接所述基区的基区P型接触区，在所述基区上的N型发射极多晶硅，在所述基区P型接触区上形成P型基区接触多晶硅，以及形成连接所述N型发射极多晶硅的发射极金属、连接所述P型基区接触多晶硅的基极金属及连接所述N型阱区的集电极金属。

2.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述集电极金属连接所述N型阱区邻近所述基区P型接触区的一侧。

3.如权利要求2所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述隔离沟槽、所述N型阱区、所述集电极金属的数量均为两个，所述两个隔离沟槽、N型阱区及集电极金属分别位于所述基区及所述基区P型接触区的两侧，每一N型阱区位于对应的一个隔离沟槽的外围，每个集电极金属连接对应的N型阱区邻近所述基区及基区P型接触区的一侧。

4.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：在所述隔离沟槽底部填充第一氧化物的步骤包括：在所述隔离沟槽中填满所述第一氧化物，对所述第一氧化物进行回刻去除所述隔离沟槽上部的第一氧化物，保留所述隔离沟槽底部的第一氧化物。

5.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述隔离沟槽的宽度在0.5um-1.5um的范围内。

6.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述双极晶体管还包括氧化物隔离层、氧化层及介质隔离层，所述氧化物隔离层设置于所述基区接触多晶硅及发射极多晶硅上，所述氧化层设置于所述N型外延层及所述隔离沟槽与N型阱区上，所述介质隔离层设置于所述氧化层及所述氧化物隔离层上，所述发射极金属通过所述介质隔离层及氧化物隔离层的第一通孔连接所述N型发射极多晶硅，所述基极金属通过贯穿所述介质隔离层及氧化物隔离层的第二通孔连接所述P型基区接触多晶硅，所述集电极金属通过贯穿所述介质隔离层及氧化层的第三通孔连接所述N型阱区。

7.一种双极晶体管，其特征在于：所述双极晶体管包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的N型埋层、形成于所述N型埋层上的N型外延层、贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽、设置于所述隔离沟槽中的氧化物、设置于所述隔离沟槽外围并包围所述隔离沟槽的N型阱区、设置于所述N型外延层表面的基区、连接所述基区的基区P型接触区、设置于所述基区上的N型发射极多晶硅、设置于所述基区P型接触区上的P型基区接触多晶硅、连接所述N型发射极多晶硅的发射极金属、连接所述P型基区接触多晶硅的基极金属及连接所述N型阱区的集电极金属。

8.如权利要求7所述的双极晶体管，其特征在于：所述集电极金属连接所述N型阱区邻近所述基区P型接触区的一侧。

9.如权利要求8所述的双极晶体管，其特征在于：所述隔离沟槽、所述N型阱区、所述集电极金属的数量均为两个，所述两个隔离沟槽、N型阱区及集电极金属分别位于所述基区及所述基区P型接触区的两侧，每一N型阱区位于对应的一个隔离沟槽的外围，每个集电极金属连接对应的N型阱区邻近所述基区及基区P型接触区的一侧。

10.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于：所述隔离沟槽的宽度在0.5um-1.5um的范围内。