[发明专利]形成图形的方法

说明书

本发明公开一种形成图形的方法，其步骤包含使用第一光掩模对一光致抗蚀剂进行第一次曝光制作工艺、使用第二光掩模对该光致抗蚀剂进行第二次曝光制作工艺，其中第二光掩模中的第二长方形开口图案会与第一光掩模中的第一长方形开口图案的角落彼此重叠、以及进行一显影制作工艺移除该光致抗蚀剂在两次曝光制作工艺中未受到曝光的部位，以在其中形成交错排列的孔状图形。

技术领域

本发明涉及一种形成孔状图形的半导体制作工艺，特别是涉及一种采用光刻-光刻-蚀刻(litho-litho-etch,LLE)双重图案化方法来形成孔状图形的半导体制作工艺。

背景技术

随着半导体技术不断地演进以及存储装置的应用领域越来越广，高容量存储元件的制作也需要越来越高的电路集成度并又要能同时保持其元件的电性。为此需求，有许多改善现有光刻制作工艺、存储单元结构及其物理特性的研究正在积极地进行。

当接触孔的尺寸小于50纳米时，要使用现有单次的氟化氩(ArF)激光曝光制作工艺来界定出微细的接触孔图形是非常困难的事，就算是有采用浸润式光刻制作工艺也是一样，故在现今业界中要界定微细的接触孔图案多会采行双重图案(double patterning)制作工艺来制作，如光刻-光刻-蚀刻(litho-litho-etch,LLE)、光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(litho-etch-litho-etch,LELE)、光刻-冻结-光刻-蚀刻(litho-freeze-litho-etch,LFLE)、或是自对准双重图案(self-aligned double patterning,SADP)等制作工艺，以在不使用更高阶的光刻机台，如超紫外光(EUV)光刻机台，的基础上界定出具有超越现有光刻分辨率的特征图案。

发明内容

本发明为一种改良的光刻-光刻-蚀刻(litho-litho-etch,LLE)半导体图形化制作工艺，特别用来形成交错排列的孔状图形，如存储元件中的密集排列的接触孔图案。

本发明的目的在于提出一种形成图形的方法，其步骤包含提供一光致抗蚀剂、使用第一光掩模对该光致抗蚀剂进行第一次曝光制作工艺，其中该第一光掩模具有阵列排列的第一长方形开口图案、使用第二光掩模对该光致抗蚀剂进行第二次曝光制作工艺，其中该第二光掩模具有阵列排列的第二长方形开口图案，且该些第二长方形图案与该些第一长方形开口图案的角落彼此重叠、以及进行一显影制作工艺移除该光致抗蚀剂在该第一次曝光制作工艺以及该第二次曝光制作工艺中未受到曝光的部位，如此在该光致抗蚀剂中形成交错排列的孔状图形。

本发明的这类目的与其他目的在阅者读过下文以多种图示与绘图来描述的优选实施例细节说明后必然可变得更为明了显见。

附图说明

本说明书含有附图并于文中构成了本说明书的一部分，使阅者对本发明实施例有进一步的了解。该些图示描绘了本发明一些实施例并连同本文描述一起说明了其原理。在该些图示中：

图1为本发明实施例中一第一光掩模与一第二光掩模以及其上的长方形开口图案的平面图；

图2为本发明实施例中第一光掩模与第二光掩模上的长方形开口图案重叠后的平面图；

图3为本发明实施例中光致抗蚀剂在两次曝光以及显影后的立体图；以及

图4为本发明实施例中用第一光掩模与第二光掩模实际对一光致抗蚀剂进行曝光显影后所产生的光致抗蚀剂图案的平面图。

需注意本说明书中的所有图示都为图例性质，为了清楚与方便图示说明之故，图示中的各部件在尺寸与比例上可能会被夸大或缩小地呈现，一般而言，图中相同的参考符号会用来标示修改后或不同实施例中对应或类似的元件特征。

主要元件符号说明

10 第一光掩模

10a 长方形开口图案

20 第二光掩模