[发明专利]硅晶体的连续生长装置有效
| 申请号： | 201711358366.6 | 申请日： | 2017-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN107779951B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 孟静 | 申请（专利权）人： | 内蒙古赛宝伦科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B30/04 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 010000 内蒙古自治区呼和浩特市经济技术开发区沙*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔体 连续生长装置 晶体生长区 电磁约束 多晶料 硅晶体 熔炼室 投料区 下料口 投料 坩埚 磁场 感应加热磁场 单晶硅 定向生长 感应线圈 高温熔体 晶体生长 连续高温 连续投料 强制冷却 熔炼系统 上下运动 主熔炼室 准单晶硅 多晶硅 晶体的 侧壁 两组 熔区 制备 加热 断电 密封 凝固 生长 | ||
1.一种硅晶体的连续生长装置，其特征在于：包括主熔炼室（5），所述主熔炼室（5）的上侧设有辅助投料熔炼室（4），所述辅助投料熔炼室（4）正下侧的主熔炼室（5）内设置有主熔炼室坩埚（9），所述主熔炼室坩埚（9）的下侧设置有坩埚水冷系统（10），所述主熔炼室坩埚（9）的外周设置有主熔炼室加热器（8），所述主熔炼室加热器（8）的上侧圆周设置有主电磁约束感应器（7），所述主电磁约束感应器（7）用于使主熔炼室坩埚（9）内的熔体表面向上凸起，所述主熔炼室（5）内设置有驱动装置，所述驱动装置的动力输出端与所述主电磁约束感应器（7）连接，用于驱动所述主电磁约束感应器（7）上下运动，所述主熔炼室坩埚（9）的下侧设置有重量传感器，用于感应所述主熔炼室坩埚（9）的总重量，随着所述重量传感器感应重量的增加，控制器通过所述驱动装置驱动所述主电磁约束感应器（7）上升；
所述辅助投料熔炼室（4）内设置有辅助投料熔炼室坩埚（18），所述辅助投料熔炼室坩埚（18）的底部通过连通管与所述主熔炼室（5）相连通，且所述辅助投料熔炼室坩埚（18）的下料口位于所述主熔炼室坩埚（9）的正上方，所述主熔炼室（5）内辅助投料熔炼室坩埚的下料口的外周设置有辅助投料熔炼下料口电磁约束感应器（13），所述下料口电磁约束感应器用于对熔体产生向上的力；所述辅助投料熔炼室坩埚（18）下侧的连通管的外周设置有辅助投料熔炼下料口加热器（15），所述辅助投料熔炼下料口加热器（15）的外周设置有辅助投料熔炼下料口感应线圈（14），所述辅助投料熔炼室坩埚（18）的上侧的外周设置有辅助投料熔炼室主加热器（16），所述辅助投料熔炼室主加热器（16）的外周设置有辅助投料熔炼室主感应线圈（17），所述辅助投料熔炼室坩埚（18）的上端开口处设置有辅助投料熔炼室熔体下压电磁约束感应器（21），用于对熔体产生向下的力。
2.如权利要求1所述的硅晶体的连续生长装置，其特征在于：所述主熔炼室（5）的侧壁上设置有与其连通的保护气体管路，所述保护气体管路上设置有第一阀体（6），通过所述保护气体管路向所述主熔炼室（5）内充入保护气体。
3.如权利要求1所述的硅晶体的连续生长装置，其特征在于：所述主熔炼室（5）的顶部设置有第一压力表（3），所述第一压力表（3）用于测量所述主熔炼室（5）内气压。
4.如权利要求1所述的硅晶体的连续生长装置，其特征在于：所述辅助投料熔炼室（4）通过辅助投料熔炼室炉盖（2）进行密封。
5.如权利要求4所述的硅晶体的连续生长装置，其特征在于：所述炉盖（2）上设置有与所述辅助投料熔炼室（4）相连通的抽气管以及第二压力表（1），所述抽气管上设置有第二阀体（20）。
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