[发明专利]表面配体、量子点薄膜、QLED器件及其制备方法

说明书

本发明公开一种表面配体、量子点薄膜、QLED器件及其制备方法。所述表面配体为说明书式I所示的化合物：其中，n为大于或等于1的整数；当n＝1时，R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少两个为可与量子点、或量子点表面的配体结合的官能团；当n＞1时，R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少一个为可与量子点、或量子点表面的配体结合的官能团。该表面配体是一种含有共轭结构的化合物，一方面能够同时锚定多个量子点，形成交联的量子点薄膜，具有交联分散性，以提高量子点薄膜的稳定性；另一方面，该表面配体因具有巨大的共轭结构，可有效地提高载流子的传输，从而提高器件的发光性能。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种表面配体、量子点薄膜、QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)是一种新型的发光器件，其采用量子点材料(Quantum dots,QDs)作为发光层，相比其他发光材料具有难以比拟的优势，如可控的小尺寸效应、超高的内量子效率、优异的色纯度等，在未来显示技术领域具有巨大的应用前景。

溶液法制备QLED器件的过程中，一方面，在量子点层上方制备各功能层时，容易影响甚至破坏量子点层，因此功能层所用的溶剂一般选择与量子点层溶剂正交的有机溶剂，但这样也难以避免破坏量子点层的情况，且这些功能层材料及溶剂的选择会有较大的限制；另一方面，当量子点制备成薄膜以及器件后，配体容易脱落或在器件存放或工作工程中被破坏，这样极大地影响QLED器件的性能。

发明内容

本发明的目的提供一种表面配体、量子点薄膜及其制备方法，旨在解决现有量子点配体容易脱落或被破坏，从而造成量子点薄膜不稳定、发光性能不好的技术问题。

本发明另一目的在于提供一种含有上述量子点薄膜的QLED器件及其制备方法、显示屏。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一方面，本发明提供一种表面配体，所述表面配体为如下式I所示的化合物：

其中，n为大于或等于1的整数；当n＝1时，R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少两个为可与量子点、或量子点表面的配体结合的官能团；当n＞1时，R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少一个为可与量子点、或量子点表面的配体结合的官能团。

相应地，一种量子点薄膜，所述量子点薄膜中的量子点结合有上述表面配体，其中，所述表面配体与量子点表面或量子点表面的初始配体结合。

以及，一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜中的量子点结合有初始配体；

将所述量子点预制薄膜和上述表面配体混合处理，得到所述量子点表面、或所述初始配体结合有所述表面配体的量子点薄膜。

另一方面，本发明提供一种QLED器件，包括依次设置的衬底、底电极、量子点发光层和顶电极，所述量子点发光层为上述制备方法获得的量子点薄膜。

相应地，一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照上述量子点薄膜的制备方法，将量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。