[发明专利]表面配体、量子点薄膜、QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜中的量子点结合有初始配体；

将所述量子点预制薄膜和表面配体混合处理，得到所述量子点表面、或所述初始配体结合有所述表面配体的量子点薄膜；

所述表面配体为如下式I所示的化合物：

其中，n为大于或等于1的整数；当n＝1时，R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少两个为可与量子点、或量子点表面的配体结合的官能团；当n＞1时，R1、R2、R3、R4、R1’、R2’、R3’、R4’中至少一个为可与量子点、或量子点表面的配体结合的官能团；其中，所述官能团包括：卤素原子、巯基、硫醚基、醛基、羧基、硝基、亚硝基、氨基、亚胺基、硫基、磺基、酰基、氰基、异氰基、腙基、膦基、磷酸基、肟基、环氧基、偶氮基、乙烯基、乙炔基、芳香环基中的至少一种；

所述混合处理的过程为：将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的所述表面配体，进行气相反应。

2.如权利要求1所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述酰基包括：酰胺基、硝酰基和磺酰基中的至少一种。

3.如权利要求1所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，式I所示的化合物中，n＝1-4。

4.如权利要求1所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述气相反应的过程中，所述可密闭装置的内部压力为10^-4～10²Pa，所述表面配体的分压为0.01～10Pa。

5.一种QLED器件，包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层为由权利要求1-4任一项所述的制备方法获得的量子点薄膜。

6.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供底电极；

在所述底电极上制备量子点预制薄膜；

按照权利要求1-4任一项所述的制备方法，将量子点预制薄膜制备成量子点薄膜，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

7.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求5所述的QLED器件。