[发明专利]一种QLED器件及其制备方法

说明书

本发明公开一种QLED器件及其制备方法，所述QLED器件包括层叠设置的阴极、量子点发光层和阳极，其中，还包括设置于量子点发光层与阳极之间的界面层，所述界面层的材料为碳量子点。本发明所制备的反型QLED器件，通过在HTL层和QD层之间设置一界面层，该界面层可以防止在全溶液法制备反型QLED器件的HTL或HIL的过程中对QD层造成的溶解冲刷影响，从而提高了器件的效率。

技术领域

本发明涉及QLED器件领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管（QLED）具有半高峰宽窄、颜色可调和可溶液法制备等优异的特点，使其成为了下一代显示科技的有力竞争者。研究者从不同的角度来研究QLED，其中包括对QDs、HTL、ETL和电极的研究；还有对器件的结构、性能和稳定性的研究。研究者所研究的QLED器件大多都是底发射的正型QLED器件结构，而真正适合屏幕应用需要的QLED结构是反型QLED器件结构。因为反型QLED结构具有与n-沟道型的TFT晶体管背板直接连接的优势。

在近几年研究中，研究者也获得了具备高亮度、高效率和低的开启电压器件性能的反型QLED器件。目前，反型器件结构主要为ITO/ETL/QDs/HTL/HIL/Al的结构，其中HTL常用的沉积材料为TFB、PVK、TCTA、poly-TPD、CBP和mCP等材料，可以溶解HTL沉积材料的溶剂大多都是氯苯、甲苯或者二氯苯等，而这些溶剂也同样可以溶解QDs。所以在使用全溶液的方法制备反型QLED结构时，在沉积HTL时避免不了将会对QDs层造成影响，甚至可以将QDs层全部冲刷掉，进而降低了器件的效率。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有技术在使用全溶液法制备反型QLED器件的HTL或HIL时，对QDs层造成影响的问题。

本发明的技术方案如下：一种QLED器件，包括层叠设置的阴极、量子点发光层和阳极，其中，还包括设置于量子点发光层与阳极之间的界面层，所述界面层的材料为碳量子点。所述的QLED器件，其中，还包括设置于界面层与阳极之间的空穴功能层。所述的QLED器件，其中，所述空穴功能层为空穴传输层、空穴注入层中的至少一种。所述的QLED器件，其中，还包括设置于量子点发光层与阴极之间的电子功能层。所述的QLED器件，其中，所述界面层的厚度为2-20nm。一种QLED器件的制备方法，其中，包括以下步骤：

提供阴极；

在阴极上制备量子点发光层；

在量子点发光层上沉积碳量子点溶液，得到界面层；

在界面层上制备阳极，得到QLED器件。

所述的QLED器件的制备方法，其中，所述在界面层上制备阳极的步骤之前,还包括：在界面层上制备空穴功能层。

所述的QLED器件的制备方法，其中，所述在阴极上制备量子点发光层的步骤之前,还包括：在阴极上制备电子功能层。

所述的QLED器件的制备方法，其中，所述碳量子点溶液由碳量子点分散于溶剂中配制而成，所述碳量子点的制备方法包括步骤：将醇胺与氧化剂混合，使醇胺与氧化剂反应得到碳量子点。

所述的QLED器件的制备方法，其中，所述醇胺为乙醇胺；和/或所述氧化剂为双氧水。

有益效果：本发明通过在QDs层与阳极之间设置一界面层，所述界面层由碳量子点制备得到。所述界面层具有类似空穴传输层作用，能够在电场作用下实现载流子的定向有序的可控迁移；本发明溶解界面层沉积材料的溶剂是一种不易溶解QDs的溶剂，从而可以避免在沉积界面层时溶剂对QDs造成的影响。

附图说明