[发明专利]发光层形成用组合物和有机电致发光器件的制造方法有效
申请号: | 201711349623.X | 申请日: | 2012-07-10 |
公开(公告)号: | CN107994062B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 田中太;今田一郎;五郎丸英贵 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 形成 组合 有机 电致发光 器件 制造 方法 | ||
本发明涉及发光层形成用组合物和有机电致发光器件的制造方法。所述发光层形成用组合物含有电荷传输材料、发光材料和溶剂,该组合物所含的电荷传输材料和发光材料的总数为5种以上,并且该组合物所含的电荷传输材料的总数为3种以上,所述电荷传输材料以及所述发光材料的分子量为10000以下。
本申请是申请日为2012年07月10日(最早优先权日为2011年11月11日)、申请号为CN201280055385.0、发明名称为“有机电致发光元件和有机电致发光器件”的中国申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及有机电致发光元件、和具有该有机电致发光元件的有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光元件能够以简单的元件构成发出各种颜色的光,因此,近年来,作为用于制造显示器、照明等发光装置的技术,正在积极地进行开发。
有机电致发光元件是下述元件:从阳极和阴极注入空穴和电子,使各电荷到达发光层,在该发光层中使电荷再结合,由此获得发光。从该原理出发,研究了例如通过在发光层中使电荷停留来提高发光效率(参照专利文献1)。
另一方面,将电荷保留在发光层中会使有机电致发光元件的电流-电压特性变差。对于在一个层中使电荷停留而言,通常通过在膜内构建电荷的陷阱能级来使电荷停留的方法等进行。根据这些方法,通过使电荷停留在发光层中,可以提高发光效率,但是同时会导致电流-电压特性变差。例如,在《有机EL技术和材料开发(CMC Publishing Co.,Ltd.出版)》中,记载了发光材料会作为相对于电荷传输材料的电荷陷阱发挥作用,导致高电压化(参照非专利文献1)。另外,在Proc.Of SPIE Vil 4800,164-171(2003)中,报告了在作为电荷传输材料的αNPD中添加同样作为电荷传输材料的1-NaphDATA的情况下,会成为电荷陷阱的成因,引起高电压化(参照非专利文献2)。
鉴于上述情况,为了将有机电致发光元件作为发光装置实用化,期望电流-电压特性的进一步提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国特开2006-135295号公报
非专利文献
非专利文献1:有机EL技术和材料开发,CMC Publishing Co.,Ltd.出版,2010年5月发行,184页
非专利文献2:Proc.Of SPIE Vil 4800,164-171(2003)
发明内容
本发明的目的在于提供一种电流-电压特性良好的有机电致发光元件。
针对该问题,本发明人等进行了深入研究,结果发现:通常认为在发光层中使用多种电荷传输材料的情况下,基于前述理由,会进行高电压化,但是让人惊讶的是,通过控制一定数量以上的电荷传输材料和这些电荷传输路径的能级,可以得到电流-电压特性良好的有机电致发光元件。
本发明是基于这样的认识而达成的,以下为其要旨。
[1]一种有机电致发光元件,其为按阳极、发光层、和阴极的顺序具有层的有机电致发光元件,该发光层所含的电荷传输材料和发光材料的总数为5种以上,并且该发光层所含的电荷传输材料的总数为3种以上。
[2]根据[1]所述的有机电致发光元件,其中,该发光层所含的电荷传输材料的总数为4种以上。
[3]根据[1]或[2]所述的有机电致发光元件,其中,在该发光层中含有3种以上电离电位和电子亲和能中的至少一者的值不同的电荷传输材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的