[发明专利]一种N型双面太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开了一种N型双面太阳能电池及其制作方法，N型双面太阳能电池的P型扩散层包括多个深入N型硅片的P型重掺杂区和覆盖N型硅片的正面的P型轻掺杂区，N型扩散层包括多个深入N型硅片的N型重掺杂区和覆盖N型硅片的背面的N型轻掺杂区，且形成与P型重掺杂区位置对应的正面栅线电极，和形成与N型重掺杂区位置对应的背面栅线电极，以制备形成具有选择性发射极的N型双面太阳能电池，进而提高N型双面太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更为具体的说，涉及一种N型双面太阳能电池及其制作方法。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种清洁、普遍和潜力高的替代能源。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源，并受到了广泛的关注。

在太阳能电池所使用的基底材料中，N型硅比P型硅具有更长的少子寿命，N型硅的光衰减性能则更为稳定，因此，在N型硅片上进行电池制作形成的N型太阳能电池片的相比P型太阳能电池片优势较大。但是，现有的N型太阳能电池片的光电转换效率有待提高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种N型双面太阳能电池及其制作方法，其中，P型扩散层包括多个深入N型硅片的P型重掺杂区和覆盖N型硅片的正面的P型轻掺杂区，N型扩散层包括多个深入N型硅片的N型重掺杂区和覆盖N型硅片的背面的N型轻掺杂区，且形成与P型重掺杂区位置对应的正面栅线电极，和形成与N型重掺杂区位置对应的背面栅线电极，以制备形成具有选择性发射极的N型双面太阳能电池，进而提高N型双面太阳能电池的光电转换效率。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种N型双面太阳能电池片的制作方法，包括：

提供一N型硅片；

在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；

在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区；

在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，及在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；

在所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个正面栅线电极，及在所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个背面栅线电极，其中，所述正面栅线电极与所述P型重掺杂区位置一一对应，且所述背面栅线电极与所述N型重掺杂区位置一一对应。

可选的，在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层包括：

在所述N型硅片的正面印刷多个硼浆区，所述硼浆区与所述P型重掺杂区一一对应；

采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，形成所述P型扩散层，其中，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区。

可选的，采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理包括：

采用三溴化硼为硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，其中，首先进行第一次硼扩散处理，其相应扩散时间为8min～15min，包括端点值，且扩散温度为890℃～910℃，包括端点值；而后进行第二次硼扩散处理，其相应扩散时间为20min～30min，包括端点值，且扩散温度为950℃～990℃，包括端点值。

可选的，在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层包括：

在所述N型硅片的背面印刷多个磷浆区，所述磷浆区与所述N型重掺杂区一一对应；