[发明专利]一种N型双面太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，包括：

提供一N型硅片；

在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；

在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区；

在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，及在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；

在所述正面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个正面栅线电极，及在所述背面钝化减反射层背离所述N型硅片一侧形成多个背面栅线电极，其中，所述正面栅线电极与所述P型重掺杂区位置一一对应，且所述背面栅线电极与所述N型重掺杂区位置一一对应；

其中，在所述N型硅片的正面扩散一P型扩散层包括：

在所述N型硅片的正面印刷多个硼浆区，所述硼浆区与所述P型重掺杂区一一对应；

采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，形成所述P型扩散层，其中，所述P型扩散层包括多个深入所述N型硅片的P型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的正面的P型轻掺杂区；

以及，采用硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理包括：

采用三溴化硼为硼源对所述N型硅片的正面进行硼扩散处理，其中，首先进行第一次硼扩散处理，其相应扩散时间为8min~15min，包括端点值，且扩散温度为905℃~910℃，包括端点值；而后进行第二次硼扩散处理，其相应扩散时间为20min~30min，包括端点值，且扩散温度为960℃~990℃，包括端点值。

2.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在所述N型硅片的背面扩散一N型扩散层包括：

在所述N型硅片的背面印刷多个磷浆区，所述磷浆区与所述N型重掺杂区一一对应；

采用磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理，形成所述N型扩散层，其中，所述N型扩散层包括多个深入所述N型硅片的N型重掺杂区和覆盖所述N型硅片的背面的N型轻掺杂区。

3.根据权利要求2所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，采用磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理包括：

采用三氯氧磷为磷源对所述N型硅片的背面进行磷扩散处理，其中，首先进行第一次磷扩散处理，其相应扩散时间为5min~15min，包括端点值，且扩散温度为850℃~870℃，包括端点值；而后进行第二次磷扩散处理，其相应扩散时间为25min~35min，包括端点值，且扩散温度为890℃~950℃，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在所述N型硅片的正面形成正面钝化减反射层包括：

在所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成第一二氧化硅层、氧化铝层和第一氮化硅层的叠层形成所述正面钝化减反射层；或者，在所述P型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成氧化铝层和第一氮化硅层的叠层形成所述正面钝化减反射层。

5.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在所述N型硅片的背面形成背面钝化减反射层包括：

在所述N型扩散层背离所述N型硅片一侧依次形成第二二氧化硅层和第二氮化硅层的叠层形成所述背面钝化减反射层。

6.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池片的制作方法，其特征在于，在提供所述N型硅片后、且在形成所述P型扩散层前，还包括：

对所述N型 硅片的正面进行制绒处理。