[发明专利]一种用于封装芯片的方法

说明书

本申请提供了一种用于封装芯片的方法，有助于提高芯片的使用寿命。该方法包括：在封装体的基板中涂覆有液态粘结材料的位置上放置芯片，其中，液态粘结材料包括具有导电导热功能的金属颗粒和辅助溶剂；对包括该封装体、所述液态粘结材料和所述芯片的结构进行预烘烤加热处理，以挥发所述辅助溶剂，形成为封装结构；将该封装结构放置密闭箱体内，且将该密闭箱体的气体压强加压至预设压强；在该预设压强下，在预设时长内对该密闭箱体进行加压处理。可选地，在预设压强和预设温度下，在预设时长内对该密闭箱体进行加压处理和加热处理，以使得该金属颗粒形成为块状金属层。

技术领域

本申请涉及电路领域，更具体地，涉及电路领域中一种用于封装芯片的方法。

背景技术

现有技术中，在芯片的封装过程中，为了实现芯片的固晶，可以通过烧结银银浆将半导体芯片粘贴在封装体的基板上。具体而言，将包括银颗粒与辅助溶剂的原始银浆涂覆在封装体的基板上，将芯片放置在涂覆有银浆的位置上，完成芯片的粘片过程，接着，在常压(即一个大气压下)下，使银浆烧结，在封装体的基板与芯片之间形成具有粘片、导热和导电功能的烧结银，从而，实现了芯片的固晶过程。

但是，在该现有技术中，烧结银的结构较为稀疏、密度低，空洞较多，使得烧结银的导热率较低，使得整个封装器件的散热性能较差，降低了芯片的使用寿命。

发明内容

本申请提供一种用于封装芯片的方法，有助于提高芯片的使用寿命。

所述方法包括：在封装体的基板中涂覆有液态粘结材料的位置上放置所述芯片，所述液态粘结材料包括离散的金属颗粒和辅助溶剂，所述金属颗粒具有导电导热功能；

将所述液态粘结材料进行预烘烤加热处理，以挥发所述辅助溶剂，形成为封装结构；

将所述封装结构放置密闭箱体内，且将所述密闭箱体的气体压强加压至预设压强；

在所述预设压强下，在预设时长内对所述密闭箱体进行加压处理，以使得所述离散的金属颗粒形成为块状金属层。

因此，本申请实施例提供的用于封装芯片的方法，通过对放置有封装结构的密闭箱体进行气体加压，使得离散的金属颗粒形成为一体的块状金属层，一定程度上提高块状金属层的导热率，也提高了块状金属层与芯片背面金属之间的界面处的粘结力以及块状金属层与基板表面金属之间的界面处的粘结力，从而提高块状金属层粘结层的可靠性，提高芯片的使用寿命以及应用范围；同时，通过对放置有封装结构的密闭箱体进行气体加压，可以使得本申请实施例很好地应用于封装尺寸较小的芯片，也能够很好地应用于封装表面具有空气桥等立体电路结构的芯片。

可选地，所述在所述预设压强下，在预设时长内对所述密闭箱体进行加压处理，包括：

在所述预设压强和预设温度下，在所述预设时长内对所述密闭箱体进行加压处理和加热处理。

因此，本申请实施例提供的用于封装芯片的方法，通过对放置有封装结构的密闭箱体进行气体加压处理和加热处理，可以进一步提高块状金属层的导热性能，以及提高芯片背面金属层与块状金属层之间的粘结力和基板表面金属与块状金属层之间的粘结力，从而进一步提高块状金属层粘结的可靠性，提高芯片的使用寿命以及应用范围。

可选地，所述预设温度在170℃-300℃之间。

可选地，所述预设压强在0.3MPa-5MPa之间。

可选地，所述预设时长在0.1h-3h之间。

可选地，所述金属颗粒为银颗粒。

可选地，所述密闭箱体内的气体为以下任一种：空气、氧气、氢气、氮气或惰性气体。

可选地，所述在封装体的基板中涂覆有液态粘结材料的位置上放置所述芯片，包括：