[发明专利]一种用于封装芯片的方法在审
| 申请号： | 201711340764.5 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109962020A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨人毅;李晓勇;邹彬;许鹏;韩梅;张韧 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 时林;毛威 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 密闭箱体 预设 压强 液态粘结材料 封装结构 封装芯片 辅助溶剂 加热处理 加压处理 金属颗粒 预设时长 芯片 封装体 导热功能 块状金属 气体压强 使用寿命 预烘烤 导电 挥发 基板 可选 涂覆 加压 申请 | ||
1.一种用于封装芯片的方法，其特征在于，所述方法包括：
在封装体的基板中涂覆有液态粘结材料的位置上放置所述芯片，所述液态粘结材料包括离散的金属颗粒和辅助溶剂，所述金属颗粒具有导电导热功能；
对包括所述封装体、所述液态粘结材料和所述芯片的结构进行预烘烤加热处理，以挥发所述辅助溶剂，形成为封装结构；
将所述封装结构放置在密闭箱体内，且将所述密闭箱体的气体压强加压至预设压强；
在所述预设压强下，在预设时长内对所述密闭箱体进行加压处理，以使得所述金属颗粒形成为块状金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述预设压强下，在预设时长内对所述密闭箱体进行加压处理，包括：
在所述预设压强和预设温度下，在所述预设时长内对所述密闭箱体进行加压处理和加热处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设温度在170℃-300℃之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述预设压强在0.3MPa-5MPa之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述预设时长在0.1h-3h之间。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述金属颗粒为银颗粒。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述密闭箱体内的气体为以下任一种：空气、氧气、氢气、氮气或惰性气体。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述在封装体的基板中涂覆有液态粘结材料的位置上放置所述芯片，包括：
通过拾放机构的吸嘴，从所述芯片的蓝膜上吸取所述芯片，将所述芯片移动至涂覆有所述液态粘结材料的位置上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
