[发明专利]一种双向瞬态电压抑制二极管及制造方法有效
| 申请号： | 201711322420.1 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108269859B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 殷丽;刘学明;吴立成;王传敏 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L25/07;H01L23/373;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 徐辉 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双向 瞬态 电压 抑制 二极管 制造 方法 | ||
1.一种双向瞬态电压抑制二极管，其特征在于，管芯由第一单向二极管管芯、焊片和第二单向二极管管芯进行金属化处理后依次叠加，加热一段时间后降温获得，所述第一单向二极管管芯和第二单向二极管管芯结构相同；
所述第一单向二极管管芯和第二单向二极管管芯均包括硅片(1)，硅片(1)两侧内到外依次为金属钛层(3，6)、金属镍层(5，7)和金属银层(4，8)；
硅片(1)两侧内到外的金属钛层(3，6)、金属镍层(5，7)和金属银层(4，8)厚度分别为：
所述焊片包括位于中部的基底(11)，基底(11)的两侧内到外依次为金属钛层(12，13)，金属镍层(14，15)，金属银层(16，17)；
所述基底(11)采用金锗合金或银铜磷合金；
基底(11)的两侧内到外的金属钛层(12，13)，金属镍层(14，15)，金属银层(16，17)的厚度分别为：
还包括两个钨块(32，33)、两个焊接引线(34，35)和玻璃外罩(36)，管芯(31)的两侧电极分别通过一个钨块(32，33)与一个焊接引线(34，35)连接；玻璃外罩(36)对管芯和两个钨块(32，33)密封封装；
加热一段时间的加热温度为800℃～860℃，保温时间为5～8min。
2.如权利要求1所述的双向瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述第一单向二极管管芯和第二单向二极管管芯的硅片经扩散形成PN结，对裸露的PN结进行钝化处理，形成钝化保护层(2)。
3.一种双向瞬态电压抑制二极管的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)获取两个相同的单向瞬态抑制二极管管芯，作为第一单向二极管管芯和第二单向二极管管芯，对两个单向瞬态抑制二极管管芯待焊接的面进行金属化处理；
(2)获取与两个单向瞬态抑制二极管管芯待焊接的面尺寸匹配的焊片，并对焊片表面进行金属化处理；
(3)将第一单向二极管管芯、焊片、第二单向二极管管芯依次叠加，然后加热一段时间后降温，完成管芯焊接；
(4)对管芯进行封装获得双向瞬态电压抑制二极管；管芯由第一单向二极管管芯、焊片和第二单向二极管进行金属化处理后依次叠加，加热一段时间后降温获得，所述第一单向二极管管芯和第二单向二极管管芯结构相同；
所述第一单向二极管管芯和第二单向二极管管芯均包括硅片(1)，硅片(1)两侧内到外依次为金属钛层(3，6)、金属镍层(5，7)和金属银层(4，8)；
硅片(1)两侧内到外的金属钛层(3，6)、金属镍层(5，7)和金属银层(4，8)厚度分别为：
所述焊片包括位于中部的基底(11)，基底(11)的两侧内到外依次为金属钛层(12，13)，金属镍层(14，15)，金属银层(16，17)；
所述基底(11)采用金锗合金或银铜磷合金；
基底(11)的两侧内到外的金属钛层(12，13)，金属镍层(14，15)，金属银层(16，17)的厚度分别为：
还包括两个钨块(32，33)、两个焊接引线(34，35)和玻璃外罩(36)，管芯(31)的两侧电极分别通过一个钨块(32，33)与一个焊接引线(34，35)连接；玻璃外罩(36)对管芯和两个钨块(32，33)密封封装；
加热一段时间的加热温度为800℃～860℃，保温时间为5～8min。
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