[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：

提供一个基底，在该基底上形成一个介电层；

在该介电层内形成一个开孔，部分暴露该基底的顶面，其中，该开孔具有不连续的一个侧壁，其上具有一个转折部，该转折部在该开孔的中段；

进行一个第一沉积制作工艺，沉积一个第一半导体层填满该开孔，并进一步覆盖该介电层的顶面；

进行一个移除制作工艺，侧向蚀刻该第一半导体层至暴露该开孔的该转折部，完全移除该第一半导体层内一部分的气孔并暴露出该第一半导体层内另一部分的气孔；

进行一个第二沉积制作工艺，沉积一个第二半导体层，填满该开孔以及该另一部分的气孔。

2.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该开孔的高宽比为3至10。

3.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该开孔包含一个上半部与一个下半部，其中，该上半部的孔径小于该下半部的孔径，且该转折部位于该上半部与该下半部的交接处。

4.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该开孔的该转折部位于该开孔的1/2至1/3深度之处。

5.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包含：

在该移除制作工艺后，蚀刻该第一半导体层上自然形成的一个保护层。

6.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，蚀刻后的该第一半导体层具有不连续的一个顶面。

7.依据权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，蚀刻后的该第一半导体层的该顶面自该开孔的该侧壁向内倾斜。

8.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该第一沉积制作工艺后，该第一半导体层内形成有一个气孔，该气孔于该移除制作工艺后被暴露出。

9.依据权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该第二半导体层填满该气孔。

10.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：

提供一个基底，在该基底上形成一个介电层；

在该介电层内形成一个开孔，部分暴露该基底的顶面，其中，该开孔包含一上半部与一下半部，其中，该上半部的孔径小于该下半部的孔径；

进行一个第一沉积制作工艺，沉积一个第一半导体层填满该开孔，并进一步覆盖该介电层的顶面；

部分移除该第一半导体层至该开孔深度的1/2至1/3深度之处，完全移除在该上半部内的气孔并暴露出在该下半部内的气孔，其中，蚀刻后的第一半导体层的顶面自该开孔的侧壁向内倾斜；

进行一个第二沉积制作工艺，沉积一个第二半导体层，填满该开孔以及在该下半部内的气孔。

11.依据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该开孔深度的1/2至1/3深度处具有一个转折部，该转折部自蚀刻后的该第一半导体层暴露出。

12.依据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，蚀刻后的该第一半导体层具有不连续的一个顶面。

13.依据权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该转折部位于该上半部与该下半部的交接处。