[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711306886.2 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109904057A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张瑞朋;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体材料 半导体装置 原位掺杂 衬底 填充 半导体技术领域 源气体 脉冲 制造 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
提供衬底，所述衬底具有沟槽；
在所述沟槽中填充原位掺杂的半导体材料；
其中，在填充所述半导体材料的过程中，以脉冲的方式提供原位掺杂的杂质的源气体。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
执行退火工艺，以使得所述半导体材料中的杂质均匀分布。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述半导体材料包括多晶硅；
所述杂质包括磷。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
所述杂质的源气体包括磷化氢。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
所述磷化氢的流量为50-400mL/min。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述脉冲的持续时间为0.1-1s。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述半导体材料的源气体包括硅烷。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，
所述硅烷的流量为0.5-1.5L/min。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的方法，其中，
所述沟槽的深度和宽度之比为3:1-10:1。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，
在压力为0.01Torr-10Torr、温度为520-630℃的工艺条件下填充所述半导体材料。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述半导体材料作为栅极。
12.一种半导体装置的制造方法，包括：
提供衬底，所述衬底具有沟槽；
在所述沟槽中填充原位掺杂的半导体材料，其中所述半导体材料中原位掺杂的杂质的含量从上至下逐渐减小；
执行退火工艺，以使得所述半导体材料中的杂质均匀分布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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