[发明专利]存储器的制备方法

说明书

本发明揭示了一种存储器及其形成方法。通过形成第一图案层以界定出第一凹槽，并通过形成第一调整层以在第一凹槽中形成第二凹槽，从而可对准填充第二调整层在第二凹槽中，去除第一调整层中暴露出的部分以形成第二图案层，并形成第一空隙在第一图案层和第二图案层之间，进而在将第一图案层和第二图案层的图形转移至衬底中时，相应地的形成与第一空隙对应的第一沟槽在衬底中。利用本发明提供的存储器的形成方法，能够形成宽度尺寸较小的第一沟槽，从而在利用第一沟槽界定出多个有源区时，有利于缩减相邻有源区之间的距离。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种存储器及其制备方法。

背景技术

随着半导体技术的不断进步，半导体器件的工艺节点正不断减小。然而，由于受到现有的光刻工艺精度的限制，以现有的光刻工艺形成的掩膜图形难以满足半导体器件持续减小特征尺寸(Critical Dimension，简称CD)的需求，特别当特征尺寸减小到30nm以下时，现有的光刻工艺无法制备精细的图案，遏制了半导体技术的发展。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种存储器的制备方法，可以精确地制备小特征尺寸的图案。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储器的制备方法，包括：

一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

形成多个第一图案层在所述衬底上，所述第一图案层呈条形结构并沿着第一方向延伸，多个所述第一图案层沿着第二方向在所述衬底上顺序排布，并且相邻的两个所述第一图案层界定出一第一凹槽；

形成一第一调整层在所述衬底上，所述第一调整层覆盖所述第一图案层并覆盖所述第一凹槽的侧壁和底壁，以利用所述第一调整层中覆盖所述第一凹槽侧壁和底壁的部分在所述第一凹槽中形成一沿着所述第一方向延伸的第二凹槽；

对准填充一第二调整层在所述第二凹槽中，并使所述第一调整层中覆盖所述第一凹槽侧壁的部分暴露出；

去除所述第一调整层中覆盖所述第一凹槽侧壁的部分，以形成一沿着所述第一方向延伸的第一空隙在所述第一图案层和所述第二调整层之间，并保留所述第一调整层中位于所述第二调整层下方的部分，以利用所述第二调整层和剩余的所述第一调整层构成一第二图案层，并且所述第二图案层和所述第一图案层界定出所述第一空隙在所述第二方向上的宽度边界；以及，

将所述第一图案层的图形和所述第二图案层的图形同时转移至所述衬底中，以形成与所述第一空隙对应的第一沟槽在所述衬底中，并且相邻的所述第一沟槽用于界定出存储器的有源区。

可选的，在部分去除所述第一调整层以形成所述第二图案层之后，以及将图形转移至所述衬底中之前，还包括：

形成多个第三图案层在所述第一图案层和第二图案层上，所述第三图案层呈条形结构并沿着所述第二方向延伸，以使所述第三图案层在所述第二方向上依次和所述第一图案层和所述第二图案层相交，相邻的两个所述第三图案层之间构成一开口，通过所述开口暴露出所述第一图案层和所述第二图案层中未与所述第三图案层相交的部分；以及，

以所述第三图案层为掩膜刻蚀所述第一图案层和所述第二图案层，以形成第二空隙在所述第一图案层和所述第二图案层中，所述第二空隙和所述第一空隙相互连通。

可选的，在形成所述第二空隙之后，将刻蚀后的所述第一图案层的图形和刻蚀后的所述第二图案层的图形转移至所述衬底中，以同时形成与所述第一空隙对应的所述第一沟槽和与所述第二空隙对应的第二沟槽在所述衬底中，所述第一沟槽和所述第二沟槽相互连通用于构成隔离沟槽，并由所述隔离沟槽界定出多个所述有源区；

其中，多个所述有源区呈阵列式排布，并且在同一列中的多个所述有源区在所述第一方向上对齐排布，在同一行中的多个所述有源区在所述第二方向上对齐排布。