[发明专利]扇出型封装结构及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构及封装方法，特别是涉及一种扇出型封装结构及其制备方法。

背景技术

目前，出于通信效果的考虑，在一些扇出型封装结构中会设置天线组件，这样的扇出型封装结构的封装方法一般为：提供载体，在载体表面形成粘合层；在粘合层上光刻、电镀出重新布线层(Redistribution Layers，RDL)；采用芯片键合工艺将半导体芯片安装到重新布线层上；采用注塑工艺将芯片塑封于塑封材料层中；在所述塑封材料层的表面形成天线组件；去除载体和粘合层；在重新布线层上光刻、电镀形成凸块下金属层(UBM)；在UBM上进行植球回流，形成焊球凸块；然后进行晶圆黏片、切割划片。由上可知，现有的半导体芯片封装结构中，半导体芯片塑封于塑封材料层中，天线组件制作于塑封材料层的表面与半导体芯片配合使用，该扇出型封装结构存在天线增益较差，从而影响结构性能的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种扇出型封装结构及其制备方法，用于解决现有技术中的扇出型封装结构存在的天线增益较差，从而影响结构性能的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种扇出型封装结构，所述扇出型封装结构包括：

重新布线层，包括相对的第一表面及第二表面；

半导体芯片，倒装装设于所述重新布线层的第一表面，且与所述重新布线层电连接；

塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面，且将所述半导体芯片封裹塑封；

天线组件，位于所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面；

电连接结构，位于所述塑封材料层内，且位于所述天线组件与所述重新布线层之间，所述电连接结构的一端与所述重新布线层电连接，另一端于所述天线组件电连接；

高频聚波弧镜，位于所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面，且将所述天线组件封裹塑封，用于增加所述天线组件的天线增益；

焊料凸块，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接。

优选地，所述天线组件包括至少一个天线单元，所述天线单元为块状天线或螺旋状天线。

优选地，所述天线组件包括多个所述天线单元，多个所述天线单元在所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面上呈单层分布。

优选地，所述天线组件包括多个所述天线单元，多个所述天线单元在所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面上呈上下间隔叠置的若干层分布，且相邻两层所述天线单元之间相连接。

优选地，所述天线组件还包括介质层，所述介质层至少位于相邻两层所述天线单元之间。

优选地，各层所述天线单元均包括多个所述天线单元，各层所述天线单元中的多个所述天线单元沿平行于所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面的方向呈环形分布于所述半导体芯片的外侧上方。

优选地，所述电连接结构包括金属引线。

优选地，所述高频聚波弧镜为凸面镜。

优选地，所述高频聚波弧镜为聚合物凸面镜。

本发明还提供一种扇出型封装结构的制备方法，所述扇出型封装结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供一基板，于所述基板上形成剥离层；

2)于所述剥离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面，所述重新布线层的第二表面与所述剥离层的上表面相接触；

3)提供一半导体芯片，将所述半导体芯片倒装装设于所述重新布线层的第一表面，且所述半导体芯片与所述重新布线层电连接；

4)于所述重新布线层的第一表面形成电连接结构，所述电连接结构的底部与所述重新布线层电连接；

5)于所述重新布线层的第一表面形成塑封材料层，所述塑封材料层将所述半导体芯片及所述电连接结构封裹塑封，且所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面暴露出所述电连接结构的顶部；

6)于所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面形成天线组件，所述天线组件与所述电连接结构的顶部电连接；

7)于所述塑封材料层远离所述重新布线层的表面形成高频聚波弧镜材料层，所述高频聚波弧镜材料层将所述天线组件封裹塑封；

8)去除所述基板；

9)于所述重新布线层的第二表面形成焊料凸块，所述焊料凸块与所述重新布线层电连接；

10)对所述高频聚波弧镜材料层进行加工以形成所述高频聚波弧镜。

优选地，步骤10)中，采用3D雕刻工艺对所述高频聚波弧镜材料层进行加工以形成所述高频聚波弧镜。