[发明专利]一种选择性发射极的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，更具体地说，尤其涉及一种选择性发射极的制作方法。

背景技术

选择性发射极是一种应用比较广泛的提高晶体硅太阳能电池转换效率的技术，该技术是在太阳能电池正面扩散层接收太阳光的区域(即受光区)实现低表面浓度轻掺杂，在扩散层和金属电极接触的区域(即电极区)实现高表面浓度重掺杂。

受光区低表面轻掺杂有利于降低晶体硅太阳能电池的俄歇复合，提升太阳能电池的光谱响应，从而提高开路电压和短路电流；电极区高表面浓度重掺杂有利于降低扩散层和金属电极的接触电阻，从而降低太阳能电池的串联电阻，提高填充因子。

现有技术中，采用喷腊掩膜反刻技术形成选择性发射极，但是，喷腊掩膜反刻技术需要价格高昂的喷腊设备、以及成本较高的腊材料和去腊清洗材料，而晶体硅太阳能电池在光伏行业中售价在不断降低，该喷腊掩膜反刻技术已不符合低成本生产需求。并且，喷腊掩膜反刻技术形成选择性发射极在硅片图像识别上采用边对位的方式，要求掩膜的宽度较宽，通常在200um左右，也就使得重掺杂区域的宽度在200um左右，进一步限制了喷腊掩膜反刻技术形成选择性发射极的技术发展。

由此可知，现有技术中制作选择性发射极的技术成本高，生成良率低。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种选择性发射极的制作方法，该制作方法极大程度的降低了制作选择性发射极的技术成本，且生成良率高。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种选择性发射极的制作方法，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底的第一表面形成第一扩散层；

在所述第一扩散层的预设区域形成第二扩散层；

刻蚀预设厚度的第一扩散层以及所述第二扩散层；

其中，刻蚀之前第二扩散层的方块电阻小于刻蚀之前第一扩散层的方块电阻，刻蚀之后第二扩散层的方块电阻小于刻蚀之后第一扩散层的方块电阻，刻蚀之后第一扩散层的方块电阻大于刻蚀之前第一扩散层的方块电阻，刻蚀之后第二扩散层的方块电阻大于刻蚀之前第二扩散层的方块电阻。

优选的，在上述制作方法中，所述衬底为P型硅衬底。

优选的，在上述制作方法中，所述在所述衬底的第一表面形成第一扩散层包括：

对所述衬底进行制绒处理；

在制绒处理后的衬底的第一表面进行磷扩散，形成所述第一扩散层。

优选的，在上述制作方法中，所述刻蚀之前第一扩散层的方块电阻的范围为60ohm/sq-90ohm/sq，包括端点值。

优选的，在上述制作方法中，所述在所述第一扩散层的预设区域形成第二扩散层包括：

在所述第一扩散层的预设区域进行激光热处理，形成所述预设区域的第二扩散层。

优选的，在上述制作方法中，所述刻蚀之前第二扩散层的方块电阻的范围为30ohm/sq-60ohm/sq，包括端点值。

优选的，在上述制作方法中，所述预设区域为宽度范围为70um-200um的区域，包括端点值。

优选的，在上述制作方法中，所述预设厚度的范围为20nm-60nm，包括端点值。

优选的，在上述制作方法中，所述刻蚀之后第一扩散层的方块电阻的范围为90ohm/sq-160ohm/sq，包括端点值。

优选的，在上述制作方法中，所述刻蚀之后第二扩散层的方块电阻的范围为60ohm/sq-90ohm/sq，包括端点值。

通过上述描述可知，本发明提供的一种选择性发射极的制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底的第一表面形成第一扩散层；在所述第一扩散层的预设区域形成第二扩散层；刻蚀预设厚度的第一扩散层以及所述第二扩散层；其中，刻蚀之前第二扩散层的方块电阻小于刻蚀之前第一扩散层的方块电阻，刻蚀之后第二扩散层的方块电阻小于刻蚀之后第一扩散层的方块电阻，刻蚀之后第一扩散层的方块电阻大于刻蚀之前第一扩散层的方块电阻，刻蚀之后第二扩散层的方块电阻大于刻蚀之前第二扩散层的方块电阻。

也就是说，先在衬底的第一表面形成第一扩散层，即N型的重掺杂扩散层，之后在所述第一扩散层的预设区域形成第二扩散层，即N型的超重掺杂扩散层，然后刻蚀预设厚度的第一扩散层以及所述第二扩散层，即将N型的重掺杂扩散层刻蚀成N型的轻掺杂扩散层，将N型的超重掺杂扩散层刻蚀成N型的重掺杂扩散层。

该制作方法极大程度的降低了制作选择性发射极的技术成本，生成良率高，且可以灵活控制刻蚀之后形成的N型的重掺杂扩散层的区域。