[发明专利]一种选择性发射极的制作方法在审
| 申请号： | 201711272857.9 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107895751A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 许佳平;郑霈霆;张昕宇;金浩;孙海杰;祁文杰 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 制作方法 | ||
1.一种选择性发射极的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底的第一表面形成第一扩散层；
在所述第一扩散层的预设区域形成第二扩散层；
刻蚀预设厚度的第一扩散层以及所述第二扩散层；
其中，刻蚀之前第二扩散层的方块电阻小于刻蚀之前第一扩散层的方块电阻，刻蚀之后第二扩散层的方块电阻小于刻蚀之后第一扩散层的方块电阻，刻蚀之后第一扩散层的方块电阻大于刻蚀之前第一扩散层的方块电阻，刻蚀之后第二扩散层的方块电阻大于刻蚀之前第二扩散层的方块电阻。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为P型硅衬底。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一表面形成第一扩散层包括：
对所述衬底进行制绒处理；
在制绒处理后的衬底的第一表面进行磷扩散，形成所述第一扩散层。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀之前第一扩散层的方块电阻的范围为60ohm/sq-90ohm/sq，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一扩散层的预设区域形成第二扩散层包括：
在所述第一扩散层的预设区域进行激光热处理，形成所述预设区域的第二扩散层。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀之前第二扩散层的方块电阻的范围为30ohm/sq-60ohm/sq，包括端点值。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述预设区域为宽度范围为70um-200um的区域，包括端点值。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预设厚度的范围为20nm-60nm，包括端点值。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀之后第一扩散层的方块电阻的范围为90ohm/sq-160ohm/sq，包括端点值。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀之后第二扩散层的方块电阻的范围为60ohm/sq-90ohm/sq，包括端点值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
