[发明专利]基于纳米线的集成电路器件的间隔件及其制造方法

权利要求书

1.一种形成集成电路器件的方法，包括：

在衬底上方形成异质结构；

形成横越所述异质结构的部分的栅极结构，从而使得所述栅极结构将所述异质结构的源极区域和漏极区域分隔开，沟道区域限定在所述源极区域和所述漏极区域之间；

对所述异质结构实施源极/漏极纳米线释放工艺，从而将纳米线释放在所述源极区域和所述漏极区域中；

在所述源极区域和所述漏极区域中形成跨越整个所述源极区域和所述漏极区域的纳米线间隔件，从而使得所述源极区域和所述漏极区域中的所述纳米线设置在所述纳米线间隔件之间并且由所述纳米线间隔件围绕；以及

在栅极替换工艺期间，对所述异质结构实施沟道纳米线释放工艺，从而将所述纳米线释放在所述沟道区域中，跨越所述整个所述源极区域和所述漏极区域的所述纳米线间隔件在所述沟道纳米线释放工艺期间用作蚀刻停止层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括，在所述栅极替换工艺之前，在所述源极区域和所述漏极区域中的所述纳米线和所述纳米线间隔件上方形成外延源极/漏极部件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括在所述栅极替换工艺之前，实施源极/漏极纳米线释放工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述纳米线间隔件包括：

在所述纳米线上方沉积纳米线间隔件层，从而使得所述纳米线由所述纳米线间隔件层围绕；以及

图案化所述纳米线间隔件层，从而从所述纳米线的侧壁去除所述纳米线间隔件层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述纳米线间隔件还包括：在所述图案化之前，处理所述纳米线间隔件层，从而使得所述纳米线间隔件层包括处理部分和未处理部分，其中，所述处理部分与所述未处理部分具有不同的功能特性。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述处理包括对所述纳米线间隔件层实施离子注入工艺。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，图案化所述纳米线间隔件层包括形成邻近所述栅极结构的伪栅极堆叠件的栅极间隔件。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述纳米线间隔件层包括：

在所述纳米线上方形成第一纳米线间隔件层；以及

在所述第一纳米线间隔件层上方形成第二纳米线间隔件层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述异质结构包括具有第一半导体层和设置在所述第一半导体层上方的第二半导体层的至少一个半导体层对，所述第二半导体层与所述第一半导体层不同；

实施所述源极/漏极纳米线释放工艺包括从所述源极区域和所述漏极区域选择性地去除所述第一半导体层；以及

实施所述沟道纳米线释放工艺包括从所述沟道区域选择性地去除所述第一半导体层，从而由所述第二半导体层形成所述纳米线。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在实施所述源极/漏极纳米线释放工艺期间，形成所述纳米线间隔件包括在已经去除第一半导体层的部分的所述沟道区域中形成所述纳米线间隔件。