[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201711262212.7 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109872946B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;刘玮鑫;林盈志;李瑞珉;林刚毅;李甫哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，该半导体装置的形成方法包含：
提供一基底，
提供一个目标层，形成于该基底上；
在该目标层上形成一个掩模结构，该掩模结构包含依序堆叠的一个第一掩模层、一个牺牲层以及一个第二掩模层，其中，该第一掩模层与该第二掩模层包含相同的组成，且各组成在该第一掩模层与该第二掩模层内的比例不同；
图案化该第二掩模层与该牺牲层，形成多个牺牲图案；
形成分别环绕各该牺牲图案的多个侧壁图案；
将该些侧壁图案转移至该第一掩模层中，而在该第一掩模层内形成多个不贯穿该第一掩模层的多个开口；以及
在完全移除该些侧壁图案后，以该第一掩模层及该些开口作为一个蚀刻掩模图案化该目标层，而在该目标层形成多个目标图案。
2.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该第一掩模层与该第二掩模层包含氮氧化硅。
3.依据权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该第一掩模层包含富氮，该第二掩模层则包含富氧。
4.依据权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该第一掩模层中硅的含量大于氮的含量，并大于氧的含量，而该第二掩模层中硅的含量等于氮的含量，并等于氧的含量。
5.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该第一掩模层的厚度大于该目标层的厚度。
6.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该第一掩模层的厚度大于该第二掩模层的厚度，并且大于该牺牲层的厚度。
7.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包含：
在转移该些侧壁图案之前，完全移除该些牺牲图案。
8.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该侧壁图案的形成包含：
形成一侧壁材料层，覆盖各该牺牲图案与该第一掩模层；以及
部分移除该侧壁材料层，形成该些侧壁图案。
9.依据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该些目标图案彼此分隔地形成在该基底上。
10.依据权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包含：
进行一侧壁图案转移制作工艺，以在该目标层上形成多个相互分隔的图案；
图案化该目标层时，一并将该些图案转移至该目标层，形成该些目标图案。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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