[发明专利]具有细长边垫的放大器管芯以及放大器模块

说明书

多尔蒂放大器模块的实施例包括基板、第一放大器管芯以及第二放大器管芯。所述第一放大器管芯包括一个或多个第一功率晶体管，其被配置成沿着第一信号路径放大第一输入RF信号以产生放大的第一RF信号。所述第二放大器管芯包括一个或多个第二功率晶体管，其被配置成沿着第二信号路径放大第二输入RF信号以产生放大的第二RF信号。所述第一和第二放大器管芯各自还包括细长输出垫，其被配置成使多个焊线能够沿着所述细长输出垫的长度并联连接，以使得所述多个焊线在垂直于所述第一信号路径和所述第二信号路径的方向上延伸。

技术领域

本文中所描述的主题的实施例大体上涉及射频(RF)放大器，且更具体地说，涉及RF放大器管芯以及多路径RF放大器模块。

背景技术

无线通信系统采用功率放大器来增加射频(RF)信号的功率。在无线通信系统中，在将放大的信号提供给天线以用于通过空中接口辐射之前，功率放大器在传输链中形成最后一个放大级的一部分。此类无线通信系统中的所期望的放大器的特性是高增益、高线性度、稳定性以及高水平的功率附加效率。

一般来说，当功率放大器接近饱和功率传输时，功率放大器以最大功率效率运行。然而，功率效率往往会随着输出功率减小而恶化。近来，多尔蒂放大器(Dohertyamplifier)架构已不仅是基站的关注焦点，并且还是移动终端的关注焦点，是因为所述架构在宽功率动态范围内有高功率附加效率。

多尔蒂架构的高效率使得所述架构对于当前和下一代无线系统来说是合乎需要的。然而，所述架构在半导体封装设计方面存在挑战性。当前的多尔蒂放大器半导体封装设计需要使用离散装置、导体和集成电路来实现每个放大路径。举例来说，载波放大路径和峰化放大路径各自可包括不同的功率晶体管IC管芯以及不同电感和电容组件。这些不同的功率晶体管IC管芯和组件在典型的装置封装中保持相隔一定距离以便限制可能由于在载波放大器和峰化放大器之间的信号耦合而发生的潜在性能退化。更具体地说，耦合在载波放大器和峰化放大器之间的不良信号可涉及通过与在那些放大器路径上载送的信号相关联的磁场和/或电场而在载波放大器路径和峰化放大器路径的组件之间传送能量。

遗憾的是，在装置封装中保持放大器路径之间的明显空间距离以便减少所述路径之间的耦合的需要限制了半导体封装小型化的可能性。限制小型化是不合需要的，其中对于各种应用来说，低成本、低重量和小体积以及小PCB占据面积是重要的封装属性。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种单片功率晶体管集成电路(IC)，包括：

半导体管芯，其具有顶部表面、底部表面、在所述顶部表面与所述底部表面之间延伸的平行的第一侧边和第二侧边，以及在所述第一侧边与所述第二侧边之间和在所述顶部表面与所述底部表面之间延伸的平行的第三侧边和第四侧边；

一个或多个晶体管，其集成在所述半导体管芯中，其中所述一个或多个晶体管包括控制端和导电端；

输入端，其电耦合到所述一个或多个晶体管的所述控制端；以及

输出端，其电耦合到所述一个或多个晶体管的所述导电端，其中穿过所述功率晶体管IC的信号路径的方向从所述半导体管芯的所述第一侧边朝着所述第二侧边延伸，所述输出端具有接近所述半导体管芯的所述第三侧边的细长第一垫，所述细长第一垫具有与所述半导体管芯的所述第三侧边平行地延伸的第一长度，且所述第一长度足够大以使得第一多个焊线能够沿着所述细长第一垫的所述第一长度并联连接。

在一个或多个实施例中，所述第一长度在介于200微米与400微米之间的范围内。

在一个或多个实施例中，所述输出端还包括：

细长第二垫，其电耦合到所述细长第一垫，其中所述细长第二垫接近所述半导体管芯的所述第二侧边，且所述细长第二垫具有与所述半导体管芯的所述第二侧边平行地延伸的第二长度，且所述第二长度足够大以使得第二多个焊线能够沿着所述细长第二垫的所述第二长度并联连接。