[发明专利]电容器及制造该电容器的方法

说明书

本发明提供一种电容器及制造该电容器的方法。所述电容器包括主体，所述主体包括基板和设置在所述基板上的电容层。所述基板包括：多个第一沟，从所述基板的一个表面穿至所述基板的内部；以及第一电容器层，设置在所述基板的所述一个表面上和所述第一沟中。所述第一电容器层包括第一介电层和设置在所述第一介电层的相对侧上的第一电极和第二电极。所述电容层包括：多个第二沟，从所述电容层的一个表面穿至所述电容层的内部；以及第二电容器层，设置在所述电容层的所述一个表面上和所述第二沟中。所述第二电容器层包括第二介电层和设置在所述第二介电层的相对侧上的第三电极和第四电极。

本申请要求于2017年4月25日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0053039号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种电容器及制造该电容器的方法。

背景技术

诸如智能电话、可穿戴装置等的便携式信息技术(IT)产品正在变薄。为了使装置的这样的变薄成为可能，装置中的无源元件本身变薄，以减小整个封装件的厚度。

为此，对能够实现与多层陶瓷电容器相比更薄的厚度的薄膜电容器的要求已经增加。

薄膜电容器在下述方面具有优点：可利用薄膜技术实现薄的电容器。

另外，薄膜电容器在下述方面具有优点：不同于根据现有技术的多层陶瓷电容器，薄膜电容器具有低的等效串联电感(ESL)，因此已经考虑薄膜电容器在应用处理器(AP)中作为去耦电容器(decoupling capacitor)的应用。

为了如上所述将薄膜电容器在应用处理器中用作去耦电容器，已经以焊盘侧电容器(LSC，land-side capacitor)的形式制造薄膜电容器。

然而，在现有埋入式电容器的情况下，如果在电容器中识别到缺陷，则不可能重做电容器，结果在仅仅电容器不合格时整个装置便可被认定为损失，由此导致显著的损失费用。因此，存在以可重做的焊盘侧电容器(LSC)的形式实现薄膜电容器的需求。

同时，由于LSC型薄膜电容器设置在焊球之间，因此薄膜电容器应该被设计为具有尽可能小的尺寸，以显著地减小焊球去除面积。

同时，已经进行了对将能够增大对实现电容做出贡献的表面面积的沟型结构应用到薄膜电容器的技术的研究，以增大薄膜电容器的电容。

然而，上述沟型结构具有下述问题：在形成具有较深的深度的沟以增大电容的情况下，工艺和材料可能受到限制。

因此，需要一种能够在考虑工艺难度和材料本身的限制的同时增大总表面面积的新型结构。

发明内容

本公开的一方面可提供一种电容器和制造该电容器的方法，所述电容器具有能够显著地增大电容器的电容的结构。

根据本公开的一方面，一种电容器可包括主体，所述主体包括基板和设置在所述基板上的电容层。所述基板可包括：多个第一沟，从所述基板的一个表面穿至所述基板的内部；以及第一电容器层，设置在所述基板的所述一个表面上和所述第一沟中，并且所述第一电容器层包括第一介电层和交替地设置的第一电极和第二电极，且所述第一介电层插设在所述第一电极和所述第二电极之间。所述电容层可包括：多个第二沟，从所述电容层的一个表面穿至所述电容层的内部；以及第二电容器层，设置在所述电容层的所述一个表面上和所述第二沟中，并且所述第二电容器层包括第二介电层和交替地设置的第三电极和第四电极，且所述第二介电层插设在所述第三电极和所述第四电极之间。