[发明专利]电容器及制造该电容器的方法

权利要求书

1.一种电容器，包括：

主体，包括基板和设置在所述基板上的电容层，

其中，所述基板包括：

多个第一沟，从所述基板的一个表面穿至所述基板的内部；以及

第一电容器层，设置在所述基板的所述一个表面上和所述第一沟中，并且所述第一电容器层包括第一介电层和交替地设置的第一电极和第二电极，且所述第一介电层插设在所述第一电极和所述第二电极之间，并且

所述电容层包括：

多个第二沟，从所述电容层的一个表面穿至所述电容层的内部；以及

第二电容器层，设置在所述电容层的所述一个表面上和所述第二沟中，并且所述第二电容器层包括第二介电层和交替地设置的第三电极和第四电极，且所述第二介电层插设在所述第三电极和所述第四电极之间，

其中，每单位面积设置的所述第二沟的数量大于每单位面积设置的所述第一沟的数量，并且

其中，与所述第二沟相比，所述第一沟具有更宽的宽度和/或更深的深度。

2.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电容层包括两个或更多个电容层，所述两个或更多个电容层中的每个电容层包括多个第二沟和第二电容器层，所述第二沟从所述电容层的一个表面穿入，所述第二电容器层设置在所述电容层的所述一个表面上和所述第二沟中。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述基板由硅形成，并且所述电容层由多晶硅或非晶硅形成。

4.根据权利要求3所述的电容器，其中，在所述基板的所述一个表面、所述电容层的所述一个表面和所述第一沟的表面以及所述第二沟的表面上掺杂n型杂质。

5.根据权利要求1所述的电容器，所述电容器还包括设置在所述基板和所述电容层之间的绝缘层。

6.根据权利要求1所述的电容器，所述电容器还包括：

第一连接电极，从所述电容层的所述一个表面穿至所述第一电极；以及

第二连接电极，从所述电容层的所述一个表面穿至所述第二电极，

其中，所述第一连接电极连接至所述第一电极和所述第三电极，并且所述第二连接电极连接至所述第二电极和所述第四电极。

7.根据权利要求6所述的电容器，所述电容器还包括：

第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的在第一方向上彼此相对的各个表面上，

其中，所述第一连接电极延伸为在所述主体的所述第一方向上延长，使得所述第一连接电极的一个端部连接至所述第一外电极，并且

所述第二连接电极延伸为在所述主体的所述第一方向上延长，使得所述第二连接电极的一个端部连接至所述第二外电极。

8.根据权利要求6所述的电容器，所述电容器还包括：

盖层，设置在所述第一连接电极和所述第二连接电极上；以及

第一外电极和第二外电极，设置在所述盖层上，并且通过第一导电过孔和第二导电过孔分别连接至所述第一连接电极和所述第二连接电极。

9.一种制造电容器的方法，所述方法包括：

通过蚀刻基板形成从所述基板的一个表面穿至所述基板的内部的第一沟；

在所述基板的所述一个表面上和所述第一沟中形成第一电容器层，所述第一电容器层包括第一介电层和交替地设置的第一电极和第二电极，且所述第一介电层插设在所述第一电极和所述第二电极之间；

在所述基板的所述一个表面上形成电容层；

通过蚀刻所述电容层形成从所述电容层的一个表面穿至所述电容层的内部的第二沟；以及

在所述电容层的所述一个表面上和所述第二沟中形成第二电容器层，所述第二电容器层包括第二介电层和交替地设置的第三电极和第四电极，且所述第二介电层插设在所述第三电极和所述第四电极之间，

其中，每单位面积设置的所述第二沟的数量大于每单位面积设置的所述第一沟的数量，并且

其中，与所述第二沟相比，所述第一沟形成为具有更宽的宽度和/或更深的深度。